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问 还有问题
FLASH的information，SEGENE A 和B可以用来存储数据，那么它的segment n 可以用来做数据存储吗？我的程序从segment n－1开始写入。
一般我对INFORMATION segment A或者B做一次察除或者写入，以最快的频率计算，大概要花多长时间和电量，一般多大的电容可以支持完这个过程。 答 1: SEGMENT N可以做数据存储。但要小心不要擦除了程序。 答 2: 那可不可以察除以后，写入一个值，等下次做好试验以后，我把试验结果再写入下一个地址里面啊

我不知道听谁说过一个事情，说察除和写入必须要同时的？
按他这个说法，那我不是要写一个值就要察除一次吗？


有这么麻烦吗 答 3: 要对FLASH写操作就必须先檫除，FLASH的檫除必须是段檫除！
兄弟，不要怕麻烦！会享受到成功的喜悦 答 4: 是可以的，但最好写完后读出来验证，除了问题从头再写 答 5: 最好不要频繁的对flash进行单个字节的写入。你可以先用结构体写一个数据表，放在ram里。由于你采样周期长，等数据够一段的字节量再一次写入flash，记得先做整段擦除，写完数决给该段加所。 答 6: 请问6楼的兄弟怎么实现你说的建立结构体放在RAM里啊？能给段程序表示一下这个意思吗？
结构体怎么能构造数据表呢，我觉得可以用数组定义是否可以呢？现在的问题是数组的数据怎么定位于一个固定的地址间保存然后象你说的那样再一次写进flash呢？