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SRAM 请教各位,SRAM的几个问题
问
双口SRAM的设计需要重点考虑些什么问题?
SRAM单元的设计很重要,但是单元的静态噪声容限(单元比率),稳定性,读出速率等如何考虑? 仿真验证?
谢谢 答 1: to who 没人回复我,
自己顶一下,
请大家多帮忙。 答 2: 你需要自己设计吗BITCELL吗?双口BITCELL的SNM,一般来讲不是问题,不对称的基本上是VOLTAGE SENSE的,对称的就都是哪种下拉管很大的,反正我见过的双口的以8T的为多,都是不怎么在乎面积,而速度有很高要求的,BITCELL上的设计不是很难吧。
读出速度,你simulaiton一下Iread就可以了,这个是BITCELL决定速度最重要的地方了。
如果是6T的管子,SNM就比较重要了,如果是高速电路,一般要求下拉管比PASS管大于1.7以上(很多书上讲大于2,但大于2比较难做,要么面积下不来,要么就是ASYSMETIC的结构,POLY是不对称的,做出来的PATTERN,如果手工的OPC没修好,容易左右不对称的,不过1.8以上,对称的管子还是相对容易做的出来)
如果是LOW POWER的应用,这个设计上比较简单些,因为对SNM和Iread要求都不那么高,因为一般low power制程的vt比较高(出于控制Ioff的考量),而vt高的话,SNM一般就不会太差,比较稳定,当然Iread也不会大,不过大部分用到low power的制程的芯片不会对速度有太严格的要求。但是由于有功耗的要求,一般设计这种BITCELL的时候,都会有意的放大channel length(比如说不会用最小rule做POLY length,主要是下拉管),这样同等面积下偷其他的RULE就比较多(如cont到POLY等),设计时候考虑制程的能力比较多
SRAM单元的设计很重要,但是单元的静态噪声容限(单元比率),稳定性,读出速率等如何考虑? 仿真验证?
谢谢 答 1: to who 没人回复我,
自己顶一下,
请大家多帮忙。 答 2: 你需要自己设计吗BITCELL吗?双口BITCELL的SNM,一般来讲不是问题,不对称的基本上是VOLTAGE SENSE的,对称的就都是哪种下拉管很大的,反正我见过的双口的以8T的为多,都是不怎么在乎面积,而速度有很高要求的,BITCELL上的设计不是很难吧。
读出速度,你simulaiton一下Iread就可以了,这个是BITCELL决定速度最重要的地方了。
如果是6T的管子,SNM就比较重要了,如果是高速电路,一般要求下拉管比PASS管大于1.7以上(很多书上讲大于2,但大于2比较难做,要么面积下不来,要么就是ASYSMETIC的结构,POLY是不对称的,做出来的PATTERN,如果手工的OPC没修好,容易左右不对称的,不过1.8以上,对称的管子还是相对容易做的出来)
如果是LOW POWER的应用,这个设计上比较简单些,因为对SNM和Iread要求都不那么高,因为一般low power制程的vt比较高(出于控制Ioff的考量),而vt高的话,SNM一般就不会太差,比较稳定,当然Iread也不会大,不过大部分用到low power的制程的芯片不会对速度有太严格的要求。但是由于有功耗的要求,一般设计这种BITCELL的时候,都会有意的放大channel length(比如说不会用最小rule做POLY length,主要是下拉管),这样同等面积下偷其他的RULE就比较多(如cont到POLY等),设计时候考虑制程的能力比较多
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