谢谢您能够这么认真的研究这个问题,在新年初能够看到这样的关注和回复,很欣慰。
这个问题讨论到这里基本上已经很深入了,随着问题讨论的深入,我们所处的EEPW平台有了更真实、更深刻的意义。
我就你的问题我们探讨一下。
1、流过R5的电流是由光耦决定的;
2、这里的DW1姑且可以把它换成普通的二极管,但是方向需要接三极管端为正,接R4端为负,这样你就好理解了。当反相器输出的C点为低时,也就是开关刚开始闭合、电解充电的过程中时刻,一定要强调这是个几秒钟很短的时间,由C点的低电位,使得三极管导通;当电解充满电荷时,电解的负极与反相器的11脚连接,将导致10脚输出也就是C点为高电位,此时的高电位将使普通二极管反向截止,三极管也截止了。
3、关于漏电流的概念,同意你的理解和分析。我想补充一点,漏电流相对于反相器的输出而言,如果有外电路的存在应该用回路阻抗的概念进行分析。
4、当开关S1断开后,反相器的12脚变为低电位,电解正端的电荷就会从这个低电位放掉。开关再次接通后开始进行下一个延时控制的过程。
1.光耦决定流过其的电流不要理解成只要有光照,就一定有电流流过,我给你举两个极端的例子:如果光耦不接任何器件,不管有多大光照其电流为零;现假设R5的阻值非常大,有1M,电源电压为6V,如果光耦在阳光下可以有1mA的电流,现在将这部分电路放在阳光下光耦的电流为多大呢?显然不是1mA,如果是那样的话R5两端已经有1000V的电压,实际中是不可能发生这种情况的,光耦的电流只是说在一定光照条件如果电路不出现饱和情况其可以流过的最大电流。
2.对于电路而言5秒的时间已经是非常之长,74系列的芯片响应速度都是ns级,你需要实现的逻辑我明白,也认可你的逻辑控制不存在问题,只是有一点要注意,按键松开后会因为电容电压的存在而在11位置形成负电压。建议拿掉DW1是个人认为反相器输出的逻辑高的电压幅度已经能够直接关断三极管,不需要另外用稳压二极管或普通二极管来增大压差保证可靠关端,在电路中R5、光耦和三极管要导通都会有一定压降,三极管的基极电压可以比电源电压低超过0.7V都能可靠关断。
3.要清楚此时电路处于上电状态,如果你将漏电流独立出来分析,也应同时将其正常的供电状态独立分析,然后合并叠加才是最终效果。可以这么理解,存在慢慢漏的地方,但补充的地方更快更强,总体看就不用考虑漏的存在了。
4.你的逻辑设想我个人是认可的。
建议你按我之前的说法做点实验验证自己的假设,如果假设成立,实验可以得到验证结果的。
1、先探讨一下光耦器件。
光耦全称是光电耦合器,它内部是由一个发光二极管和一个三极管组成的,并且是密封的。当发光二极管流过一定的电流发光后使三极管导通。在使用中一般都是只要三极管的集电极在电路中呈现低电平,就认为三极管工作了,这就是我们要的果;在导通前三极管的集电极是高电平的(其接一个电阻至电源)。一般光耦起到的作用是输入与输出隔离,保护后面的电路。光耦实现的是通过控制输入端的发光二极管,来控制输出端的三极管,两者通过光的控制达到电的控制,其间的关系是耦合也就是控制与被控制关系的接续。
2、11脚负电压是相对于电解正端而言的,只有5S的时间,对器件而言,不会造成任何损害,对集成电路来说,在5S 钟电解充满后11脚的电压是低电位,接近于GND,不会比GND还低。
3、整个电路的实验调试过程是用数字示波器跟踪测试的。
4、在你的启发下,有个想法,如果用COMS4069,取消DW1也应该是可行的。这样Q1的导通与截止只取决于CMOS4069的10脚输出了,是透明的。由于CMOS4069是MOS管的,它的控制只取决于电压,输入、输出阻抗都很高,不存在漏电流的问题。
5、现在有新的任务正进行,有时间的时候,我会按照上述帮助过我的朋友和你的建议,重新考虑设计并实验。届时我也会把结果告诉你们的。
谢谢你!
如哪里不妥,我们继续探讨,很开心。
光耦全称是光电耦合器,它内部是由一个发光二极管和一个三极管组成的,并且是密封的。当发光二极管流过一定的电流发光后使三极管导通。在使用中一般都是只要三极管的集电极在电路中呈现低电平,就认为三极管工作了,这就是我们要的果;在导通前三极管的集电极是高电平的(其接一个电阻至电源)。一般光耦起到的作用是输入与输出隔离,保护后面的电路。光耦实现的是通过控制输入端的发光二极管,来控制输出端的三极管,两者通过光的控制达到电的控制,其间的关系是耦合也就是控制与被控制关系的接续。
2、11脚负电压是相对于电解正端而言的,只有5S的时间,对器件而言,不会造成任何损害,对集成电路来说,在5S 钟电解充满后11脚的电压是低电位,接近于GND,不会比GND还低。
3、整个电路的实验调试过程是用数字示波器跟踪测试的。
4、在你的启发下,有个想法,如果用COMS4069,取消DW1也应该是可行的。这样Q1的导通与截止只取决于CMOS4069的10脚输出了,是透明的。由于CMOS4069是MOS管的,它的控制只取决于电压,输入、输出阻抗都很高,不存在漏电流的问题。
5、现在有新的任务正进行,有时间的时候,我会按照上述帮助过我的朋友和你的建议,重新考虑设计并实验。届时我也会把结果告诉你们的。
谢谢你!
如哪里不妥,我们继续探讨,很开心。
很抱歉
我犯了一个非常低级的错误,大意疏忽将光耦和光敏管混淆在一起,所以前面解释中用了日光,不过原理上两者基本一样,只是光耦内部是光敏管加LED组成,光线由内部LED产生。
负电压的问题,当按键被按下足够长时间后,电容充满电,电容两端电压Vc应该是接近电源电压VDD,此时松开按键,反相器第一级输出会变回低,如果驱动能力够强这个低电压应该是接近零,也就是12脚有可能迅速从电源电压附近转变到电压接近为零,而电容没有快速放电回路,两端的压差会维持一段时间,其-端电压为V11=V12-Vc,如果V12接近0则V11就有可能为负
我犯了一个非常低级的错误,大意疏忽将光耦和光敏管混淆在一起,所以前面解释中用了日光,不过原理上两者基本一样,只是光耦内部是光敏管加LED组成,光线由内部LED产生。
负电压的问题,当按键被按下足够长时间后,电容充满电,电容两端电压Vc应该是接近电源电压VDD,此时松开按键,反相器第一级输出会变回低,如果驱动能力够强这个低电压应该是接近零,也就是12脚有可能迅速从电源电压附近转变到电压接近为零,而电容没有快速放电回路,两端的压差会维持一段时间,其-端电压为V11=V12-Vc,如果V12接近0则V11就有可能为负
26楼
所以我每次都是编辑完帖子,在输入“验证码”前,先把帖子内容复制一下。这样内容就不会丢了啊。
“Ctrl+A”,然后“Ctrl+C”就可以了
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