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平民玩示波器来个全家福shangziyun ARM开发板DIY进程帖

专家
2012-03-01 11:23:34    评分

总结出的开发板上的一些错误和补救措施

 

基础实验:
1、跑马灯

2、串口实验

3、24LC02读写(图)        视频+源码

4、ADC转换        (工程包)
做ADC实验发现的电路板问题)图

5、USB2.0通信

6、CAN总线

7、EXTI实验

设想要实现的功能:
1、TFT显示

2、nRF24L01全双工通信

3、超声波测距

4、DS18B20

5、RTC实时时钟

6、SD卡读写

7、MP3播放

8、网络通信

9、uC/GUI移植

10、虚拟信号分析仪(集示波器、函数发生器、数据记录仪、滤波器设计)




关键词: 平民     示波器     来个     全家福     shangziyun         

专家
2012-03-02 23:14:57    评分
2楼
淘宝上找了找零件,没有想象的好买,价格参差不齐,还有个别零件搞不懂是什么规格

专家
2012-03-02 23:17:02    评分
3楼

工欲善其事必先利其器,从图书馆借几本书学习ARM和uC/OS-II


专家
2012-03-02 23:17:24    评分
4楼






专家
2012-03-02 23:22:44    评分
5楼

     RAM ( Random-access memory ) 即随机存取存储器,与ROM(Read-Only Memory,只读存储器)相比RAM的存取速度快很多,但是掉电数据丢失,而ROM掉电数据不丢失。

      SRAM(Static RAM)即 静态RAM,与DRAM(Dynamic RAM)即 动态RAM 是两个相对的概念。“静态”是指SRAM存入数据后不需要定时对其进行刷新,只要不断电其数据可以长时间保存。     DRAM存入数据后必须定时刷新才能保存数据,这也是“动态”二字的含义。 因为制造工艺的原因SRAM的成本比DRAM贵很多,等面积SRAM的存储容量低于DRAM,SRAM的存取速度略高于DRAM。       SSRAM(synchronous static RAM) 即 同步静态RAM ,“同步 ”是说它内部有同步时钟。它的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动,地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。而异步SRAM的访问独立于时钟,数据输入和输出都由地址的变化控制。/****搜了半天居然没弄清楚 异步SRAM 的缩写,估计应该是ASRAM***/     SDRAM(:Synchronous Dynamic RAM)即 同步动态RAM,“同步 ”是说它内部有同步时钟,这与SSRAM的“同步”意义相同。而“动态”则与DRAM的“动态”含义相同,即需要动态刷新才能持续保存数据。       PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory) 即 伪SRAM ,它的外部属性和SRAM很新像,存储数据后不需要刷新,外部接口和SRAM也很像。但是它的内部结构是在SDRAM的基础上做了一定修改得到的,所以把它叫做“伪SRAM”,也就是说:从外部看起来好像是SRAM, 但内部结构却和DRAM差不多。      NVRAM (Non-Volatile Random Access Memory)非易失性随机访问存储器,是指断电后仍能保持数据的一种RAM。它既具有普通RAM存取速度高、可以随机访问的特点,又能保证数据在断电后不丢失。       再来说说ROM吧,下面是ROM简史,资料来源于百度百科http://baike.baidu.com/view/2467082.htm     ROM(Read Only Memory,只读存储器),ROM内部的程数据掉电不丢失,是在ROM的制造工序中,在工厂里用特殊的方法烧录进去的,一旦烧录进去,用户只能验证写入的资料是否正确,不能再作任何修改。如果发现资料有任何错误,则只有舍弃不用,重新订做一份,ROM一般只用在大批量应用的场合。很明显,最早的ROM用起来很不方便,修改程序很困难,且成本很高。      由于ROM制造和升级的不便,后来人们发明了PROM(Programmable ROM,可编程ROM)。最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料,用户可以用专用的编程器将自己的资料写入,但是这种机会只有一次,一旦写入后也无法修改,若是出了错误,已写入的芯片只能报废。PROM的特性和ROM相同,但是其成本比ROM高,而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢,一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。     EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可编程ROM)芯片可重复擦除和写入,解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征,在其正面的陶瓷封装上,开有一个玻璃窗口,透过该窗口,可以看到其内部的集成电路,紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器,并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压(VPP=12—24V,随不同的芯片型号而定)。EPROM的型号是以27开头的,如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后,还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住,以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。     由于EPROM烧写程序操作不便,EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,电可擦除可编程ROM)应运而生。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备,它是以电信号来修改其内容的,而且是以Byte为最小修改单位,不必将资料全部洗掉才能写入,彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EEPROM在写入数据时,只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容。由于据有烧写程序操作简便、烧写次数很多的优点,EEPROM正被大量、广泛的使用。       顺便对比下 Nand FLASH 和Nor FLASH,下面这个网站上讲的非常详细 。     参考网站: http://blog.chinaunix.net/u/23109/showart_166778.html     FLASH是非易失闪存技术,分为两大类:Nand FLASH 和Nor FLASH。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,东芝公司1989年发表了NAND flash结构。他们的主要区别有以下几点     1.读写速度:NOR的读速度比NAND稍快一些,NAND的写入速度比NOR快很多。
    2.擦除:NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快, NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
    3.使用难易:NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD( 内存技术驱动程序 )。NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节,可以在上面直接运行程序。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。NAND器件必须使用驱动程序MTD来运行程序。而且向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。     4.容量:NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半。     5.应用:NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储。     6.寿命:在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。所以NAND闪存的寿命远大于NOR闪存。     7.故障率:所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。如果只是被报告反转了,则只需要多读几次即可。如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算

专家
2012-03-02 23:28:37    评分
6楼

评选规则

【基础分】
a)报名成功:2分
b)论坛发主题帖:5分
c)配图:5分
d)关键代码:5分
e)采买信息:3分
f)焊接信息:5分
g)效果展示:5分
h)上传展示视频:5分/个(累加不超过15分)
i)主题帖更新:3分(一天内更新只计算一次)

【技术评分】
a)基础实验:20分。包含以下内容细分:
(1)定时器各种应用(定时、中断、输入捕捉、输出比较)5分
(2)AD数据采集:2分
(3)DA信号波形产生(方波,三角波,频率可调):2分
(4)GPIO 输入中断:1分
(5)LED跑马灯实验:1分
(6)DS18B20温度数据采集实验(单总线协议实现):2分
(7)EEPROM(AT24LC02)读写实验(I2C总线实现):2分
(8)UART-RS232通信功能实现:5分(其中查询方式实现1分,中断方式显示2分,DMA方式实现2分,累计不超过5分)
b)SDRAM读写实现:5分
c)SD 卡存储读写实现:3分, 若在此基础上实现FAT文件系统加10分
d)MP3播放功能实现:5分
e)10M以太网实现:5分,若在此基础上实现其他功能(如web server)酌情加分(5~20分不等)
f)3.2寸TFT_LCD液晶:显示功能实现,5分,触摸功能实现:5分
g)CAN总线收发功能实现:5分
h)nRF24L01无线通信功能:半双工:5分,全双工:10分
i)超声波测距功能实现:5分
j)USB2.0读写功能实现:10分
k)RTOS(含uCOS-II和FreeRTOS)移植实现:10分
l) 其他:本次ARM DIY活动本着“开源有益、共同学习、启迪兴趣、创新思维”的宗旨服务广大网友和电子设计爱好者,以公平、公开、公正的评价标准,鼓励大家在熟练掌握STM32单片机的基础上,发散思维,积极创新。凡电子产品设计,技术是核心,创新才是灵魂,希望大家不限于以上所列功能的实现,设计出更多更好的创意功能,只要大家能够想得到,而且做得到,实现了具体的功能,有实物照片或者视频为证,经我们EEPW论坛版主或专家评定后,都会给予加分,加分不设上限。


院士
2012-03-03 08:32:15    评分
7楼
LZ,你这种做法我不很赞同

专家
2012-03-03 09:12:50    评分
8楼
上次MCU开发板DIY,jjjSj老前辈的第一页就很好,一个链接直奔主题,想效仿一下,望理解

专家
2012-03-06 19:31:32    评分
9楼

初步确定要实现的功能,查找资料及软件中......


专家
2012-03-08 19:55:24    评分
10楼
器件采买中......最不好买的数SRAM,淘宝上都搜不到,很是头疼,不知道是那器件早都不被使用了还是啥原因

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