EEPW论坛

请告知对以下内存操作的周期数：1）内置数据RAM(D总线) 2）内置指令RAM(F总线)。在下列条件下，与读写内部数据RAM/内部指令RAM相比，读取外部存储器需要多少时间？（ 针对：FR60/FR60lite）

• 回答：
  就FR60/FR60lite而言，从在存储阶段执行存取到真正读取之间的存取周期数是指
  
  1. 内置数据RAM(D总线)：一个周期
  2. 内置指令RAM(F总线)：两个周期
  外部存储器的周期数是两个，和上面的2)一样。以下列出各总线的存取周期，供你参考
  
  • R-总线系列：
    大约8个时钟周期（CLKB:CLKP=1.1）
    大约13个时钟周期（CLKB:CLKP=1:1/2）
  • T-总线系列：
    大约8个时钟周期（CLKB:CLKP=1.1）
    大约13个时钟周期（CLKB:CLKP=1:1/2）
  中断操作（重写PS的 “I”标记/存取CPU的寄存器）：一个时钟周期
  指令高速缓冲存储器控制（Harvard总线连接模式）：一个时钟周期

---

 

当内部ROM和RAM被存取的时候，ADDR,RD和WR0/WR1是否会被输出？ 这些控制信号只在外部区域被存取时才被输出吗？（针对：MB91F155A）

• 回答：
  对ADDR信号来说，前次外部总线存取的地址信号被保留，并连续输出。CS信号也被输出。但是RD 和 WR0/WR1都不被输出。

---

 

外部总线周期是由多少CPU周期组成的？（针对：MB91360）

• 回答：
  一个外部总线周期（不包括等待信号）通常需要四个CPU周期（总线转换*两个周期+外部总线接口数*两个周期=四个周期）。

---

 

我们想将程序放在外部闪存中。和放在内部存储中相比，性能会下降多少？（针对：MB91350）

• 回答：
  这个问题的回答很大程度上取决于指令，但可使用内部：外部=1：3作为参考。

转自：http://www.fujitsu.com/cn/fss/mcu/faq/fr_bus.html