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【吉时利讲堂】4200脉冲IV测量CMOS晶体管的目标应用和测试项目

高工
2012-05-19 13:53:43    评分

4200-PIV包涵盖解决最常见参数晶体管测试的测试项目:Vds–id和Vgs-id。这两个测试提供直流和脉冲两个模式,允许两种测试方法之间的相关性,并已配置用于前沿、低功率CMOS器件的测试。

这些测试连同自动校准和电缆补偿的初始化步骤,包括在单4200测试项目,脉冲IV-Complete中。

有另一个脉冲IV测试项目:Demo-PulseIV。这个演示项目是IV-Complete的一个子集,目的是用使打包的演示DUT来说明脉冲IV的能力。

4200脉冲IV能力的概述:

· -5至+5 V的脉冲门极电压,以零为参考

· 脉冲宽度40-150ns(由于4200-RBT),以10 ns增量进行调节

· 40us及以上的周期(由于4200-RBT),以10 ns增量进行调节。最大占空比为0.1%。

· 脉冲瞬态编程至10ns,导致13 ns的瞬态时间

· SMU提供漏极上直流电压偏置,- 210V至210 V

· 漏极电流脉冲测量,最高可达100mA,由8位示波器卡提供5 uA的分辨率(可以通过平均多个脉冲得到更高的分辨率)

· Vds- Id和Vgs-Id扫描

· 单脉冲“scope” shot用来设置验证和瞬态测试

需要注意的是,上述清单是完整的4200-PIV包所特有的操作。独立的部件,如4200-PG2和4200-SCP2,可能有不同的功能。例如,4200- PG2可以编程输出10ns的脉宽,但此脉冲不足以进行脉冲IV的测量,因此没有放置于提供的PIV设置中。




关键词: 吉时     讲堂     脉冲     测量     晶体管     目标     应用     测试         

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