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Xilinx投片行业首款ASIC级可编程架构20nm器件

高工
2013-07-13 10:14:06    评分

赛灵思公司 (Xilinx, Inc.)日前宣布,延续28nm工艺一系列行业创新,在20nm工艺节点再次推出两大行业第一:投片半导体行业首款20nm器件,也是可编程逻辑器件(PLD)行业首款20nm All Programmable器件;发布行业第一个ASIC级可编程架构UltraScale。这些具有里程碑意义的行业第一发布,延续了赛灵思在28nm领域投片首款器件以及在All Programmable SoC、All Programmable 3D IC和SoC增强型设计套件上所实现的一系列行业第一的优势。


它不仅能解决整体系统吞吐量扩展限制的问题和时延问题,而且直接应对先进节点芯片性能方面的最大瓶颈问题——互连。


赛灵思公司可编程平台产品部高级副总裁Victor Peng指出:“我们制定了业界最积极的20nm投片计划,我相信,和最接近的竞争产品相比,赛灵思在在高端器件上远远领先至少一年的时间,而在中端器件上则领先至少半年左右。当你结合采用台积(TSMC)技术和我们的UltraScale架构,并通过我们的Vivado设计套件进行协同优化,我们相信将比竞争对手提前一年实现1.5至2倍的系统级性能和可编程系统集成 ——相当于领先竞争产品整整一代。”


赛灵思同台积合作,就像28HPL(高性能低功耗)开发过程一样,把高端FPGA的要求注入20SoC开发工艺之中。赛灵思和台积公司在28nm工艺节点上的通力协作,让赛灵思成为行业第一个28nm All Programmable FPGA、SoC和3D IC器件的推出者,把赛灵思推上了性价比和功耗、可编程系统集成以及降低材料清单(BOM)成本方面领先一代的地位。现在,赛灵思已经将这种行之有效的行业领先合作模式从28nm扩展到20nm,推出了行业首个ASIC级可编程架构 — UltraScale。


最新开发的UltraScale架构包括20nm平面晶体管结构 (planar)工艺和16nm乃至FinFET晶体管技术扩展,包括单芯片(monolithic)和3D IC。它不仅能解决整体系统吞吐量扩展限制的问题和时延问题,还能直接应对先进节点芯片性能方面的最大瓶颈问题 — 互连。


现在,人们需要采用一种创新型的架构来管理每秒数百Gbps信息流的系统性能,以及在全线速下进行智能处理的能力,并可扩展至Tb级流量和每秒10亿次浮点运算(teraflop)级的计算能力。单凭提升每个晶体管或系统模块的性能,或者增加系统模块数量,都不足以实现上述目标,因此必须从根本上提高通信、时钟、关键路径以及互连技术,以实现行业新一代高性能应用,满足海量数据流和智能数据包、DSP或图像处理等要求。





关键词: Xilinx          可编程     UltraScale    

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