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IGBT有哪些主要形式和技术参数

菜鸟
2013-08-26 14:14:45    评分

  IGBT有哪些主要形式和技术参数

  IGBT在工业领域已得到广泛的应用。且IGBT产品有多种形式,主要分为模块型和芯片型两大类。模块化结构有一单元(一个IGBT与一个续流二极管反向并联)、二单元、四单元、六单元及七单元,高压IGBT有模块、平板和片状IGBT元件。

  IGBT的主要参数如下:

  1、栅极-发射极额定电压Uges。IGBT是电压控制器件,靠加在栅极的电压信号控制它的导通和判断,而Uges就是栅极控制信号的电压额定值。目前,IGBT的Uges值大部分为+20V。

  2、额定集电极电流Ic。这个参数表示IGBT在导通时能流过管子的持续最大电流。目前,市场上IGBT模块的电流可达1000A以上。

  3、集电极-发射极饱和电压Uce(sat)。这个参数给出IGBT在正常饱和导通时电极-发射极之间的电压降,这个值越小,管子的功率损耗就越小。

  4、开关频率。IGBT的一个非常重要的优点就是开关频率高。开关频率是以导通时间Ton、下降时间Tf和关断时间Toff形式给出的,根据这些参数可估算出IGBT的开关频率。最新的IGBT产品有高速开关系列和低导通电压系列。一般IGBT的实际工作频率都在100kHz以下,开关频率高是IGBT模块的一个重要优点。

  5、集电极-发射极额定电压Uces。这是生产厂家根据器件的雪崩击穿电压而规定的电压值,是栅极-发射极短路时IGBT能够承受的耐压值。一般Uces小于或等于雪崩击穿电压。





关键词: 哪些     主要     形式     技术     参数     电压    

高工
2013-08-29 15:28:16    评分
2楼
IGBT 大家一直很畏,,了解的还真不多。

菜鸟
2013-09-15 17:03:32    评分
3楼
拿来主义是不行的,必须自助研发。

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