这些小活动你都参加了吗?快来围观一下吧!>>
电子产品世界 » 论坛首页 » 嵌入式开发 » MCU » ESD器件主要参数

共1条 1/1 1 跳转至

ESD器件主要参数

工程师
2014-09-28 19:52:01     打赏

举例图片

1. 最小击穿电压VBR和击穿电流IR(VBR)。VBR是TVS最小的击穿电压,在25℃

时,低于这个电压TVS是不会发生雪崩的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)

时,加于TVS两极的电压为其最小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的

离散程度,可把VBR分为5%和10%两种。对于5%的VBR来说,

VWM=0.85VBR;对于10%的VBR 来说,VWM=0.81VBR。为了满足

IEC61000-4-2 国际标准,TVS二极管必须达到可以处理最小8kV(接触)和

15kV(空气)的ESD冲击,有的半导体生产厂商在自己的产品上使用了更高的抗

冲击标准。对于某些有特殊要求的便携设备应用,设计者可以按需要挑选器件。

2. 最大反向漏电流ID 和额定反向关断电压VWM(VRWM。VWM这是二极管在正常状

态时可承受的电压,此电压应大于或等于被保护电路的正常工作电压,否则二极

管会不断截止回路电压;但它又需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近,这

样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威胁。当这个额定反向关断电压

VWM加于TVS的两极间时它处于反向关断状态,流过它的电流应小于或等于

其最大反向漏电流ID。

3. 最大箝位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP(VC)。当持续时间为20mS的脉冲峰

值电流IPP流过TVS时,在其两端出现的最大峰值电压为VC。VC、IPP反映

了TVS的浪涌抑制能力。VC与VBR之比称为箝位因子,一般在1.2~1.4之间。

VC是二极管在截止状态(我认为是在击穿状态下)提供的电压,也就是在ESD冲

击状态时通过TVS的电压,它不能大于被保护回路的可承受极限电压,否则器

件面临被损伤的危险

4. Pppm额定脉冲功率,这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。对于

手持设备,一般来说500W的TVS就足够了。最大峰值脉冲功耗PM是TVS能

承受的最大峰值脉冲功耗值。在给定的最大箝位电压下,功耗PM越大,其浪涌

电流的承受能力越大。在给定的功耗PM下,箝位电压VC越低,其浪涌电流的

承受能力越大。另外,峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关。

而且,TVS所能承受的瞬态脉冲是不重复的,器件规定的脉冲重复频率(持续时

间与间歇时间之比)为0.01%。如果电路内出现重复性脉冲,应考虑脉冲功率的

累积,有可能损坏TVS。

5. 电容量C。电容量C是由TVS雪崩结截面决定的,是在特定的1MHz频率下

测得的。C的大小与TVS的电流承受能力成正比,C太大将使信号衰减。因此,

C是数据接口电路选用TVS的重要参数。电容对于数据/信号频率越高的回路,

二极管的电容对电路的干扰越大,形成噪声或衰减信号强度,因此需要根据回路

的特性来决定所选器件的电容范围。高频回路一般选择电容应尽量小(如

LCTVS、低电容TVS,电容不大于3pF),而对电容要求不高的回路电容选择可

高于40pF。


共1条 1/1 1 跳转至

回复

匿名不能发帖!请先 [ 登陆 注册 ]