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聚焦未来半导体材料碳化硅的革命性进展

菜鸟
2017-11-20 13:36:19    评分

第三代半导体材料只要包括主要包括碳化硅、金刚石、氮化镓等,相比第一代、第二代半导体材料,第三代半导体材料具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源和电力电子微波射频器件的核心,在半导体照明、新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景,正在成为全球半导体产业新的战略高地。

碳化硅被半导体界公认为是一种未来的材料,是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料,促使碳化硅发展的主要因素是硅材料的负载量已经达到极限,以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。

碳化硅属于宽禁带半导体,物理特性与硅有很大不同,碳化硅耐高温,导热率超过铜的导热率,器件产生的热量会快速传递,这无疑对器件的通流性能提高非常有利。碳化硅还有很强的耐辐射性,做成的器件可以在核反应堆附近及太空中电子设备应用。

因此,可以预见到不久的将来,碳化硅材料和器件工艺的完善,部分硅领域被碳化硅来替代是指日可待的。





关键词: 半导体     材料     新能源     碳化硅     新世纪     发展    

菜鸟
2017-11-20 13:39:58    评分
2楼

巩义市亚泰净水滤料生产有各种磨料、滤料,联系电话18539955580


助工
2017-11-20 14:58:19    评分
3楼

好象现在技术还不成熟,SIC  MOS实现批量生产的只有二家,CREE和ROHM,希望技术早日突破实现大批量生产。


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