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高可靠性的cypress异步SRAM

菜鸟
2020-08-19 13:57:50    评分

Cypress半导体公司生产高性能SRAM产品,用于数据传输、远程通讯、PC和军用系统。异步快速存储器芯片简称为:AsyncSRAM,速度一般在8/10/15ns,电压范围在1.65V~5V,可以满足大部分应用的电压设计。Cypress代理宇芯电子本篇文章将介绍具有高可靠性的cypress异步SRAM产品。
 
凭借可满足各种高可靠性工业,通信,数据处理,医疗,消费和军事应用的性能,快速和微功耗,SRAM器件可提供片上ECC。这些器件具有与上一代异步SRAM兼容的外形匹配功能。这使您无需投资PCB重新设计就可以提高系统可靠性。
 

 

具有ECC框图的快速SRAM

 
 
高可靠性:软错误率<0.1FIT/Mbit
ERR引脚指示单位错误
密度选项:4Mbit,8Mbit,16Mbit
快速访问时间:10ns(FAST)
超低待机电流:8.7μA(4MbitMoBL®)
总线宽度配置:x8,x16和x32
宽工作电压范围:1.8-5.0V
工业和汽车温度等级
 
PowerSnooze™
 

具有PowerSnooze框图的快速SRAM

 
赛普拉斯是第一家提供新器件系列的SRAM制造商,该器件系列将快速异步SRAM的访问时间与独特的超低功耗睡眠模式(Power Snooze™)相结合。具有Power Snooze的快速SRAM消除了异步SRAM应用中性能与功耗之间的折衷。在这个新的设备系列中,通过提供一种称为Power Snooze的新型超低功耗睡眠模式,可以实现现有产品系列的最佳功能。Power Snooze是标准异步SRAM操作模式(活动,待机和数据保留)的附加操作模式。深度睡眠引脚(DS#)使器件可以在高性能活动模式和超低功耗Power Snooze模式之间切换。在4Mbit器件上的深度睡眠电流低至15μA时,
 
异步SRAM技术增强

纠错码(ECC)
 
赛普拉斯最新一代的异步SRAM器件使用(38,32)汉明码ECC进行单位错误检测和纠正。赛普拉斯超可靠异步SRAM中的硬件ECC模块可在线执行所有与ECC相关的功能,而无需用户干预。
 
多位交织
 
高能量的地外辐射会翻转多个相邻位,从而导致多位错误。纠错码的单比特错误检测和纠正功能通过比特交织方案进行了补充,以防止出现多比特错误。
 
这些功能加在一起,可以显着改善软错误率(SER)性能,从而导致业界领先的FIT率低于0.1FIT/Mbit。




关键词: cypress     异步SRAM     SRAM    

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