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EEPROM与内存Flash消耗能量计算

菜鸟
2020-09-08 14:25:22    评分

本篇文章要介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。

首先,我们来看看非易失性存储器在典型的3.3V EEPROM写入过程中所消耗的能量待机电流为1μA,写入时间为5 ms,写入电流为3 mA(表1)。我们假设:一旦VDD上升到工作限制内(上电时间),EEPROM就准备开始工作零)。

•写入的数据量适合一页,并且使用块写入功能进行写入。

•EEPROM的写入时间仅是执行EEPROM的写入操作所需的时间,因此我们忽略MCU和SPI接口的任何处理和通信时间。(这个假设是相反的用于MRAM的; MRAM只需要通信时间,因为写入时间很短,因此它可以被视为零。)

•EEPROM直接由微控制器I / O供电,并使用一个小的(0.1μF)去耦电容。

内存Flash消耗的能量

内存Flash具有更高的写入和待机电流,因此我们将使用50μA的待机电流(写入时间)在我们的评估中为3 ms,写入电流为15 mA(表2)。如上所述,我们假设通电时间为零,数据适合一页,并且写入时间很长,我们可以忽略通信时间。另外,我们假设闪存写入到已擦除的页面。

结论

非易失性存储器的写入时间会极大地影响系统的总能耗。对于低占空比的系统,这种影响不太明显,但是随着采集速率的提高,这种影响变得更加明显。

EEPROM和闪存的写入时间显着增加了MCU的能耗,因为它们使MCU的活动时间更长。如果在写入EEPROM和闪存完成时MCU处于睡眠模式,则可以降低能耗。但是,EEPROM或闪存消耗的能量代表了系统的大部分能耗,因此使MCU处于睡眠模式不会对总体能耗产生重大影响。很明显,通过功率门控的快速写入,非易失性存储器可以实现最低的能耗。




关键词: EEPROM     内存Flash     MRAM     非易失性存    

助工
2020-09-08 23:49:57    评分
2楼

非常不错


工程师
2020-09-09 07:33:15    评分
3楼

计算起来还是比较简单的


工程师
2020-09-09 18:14:23    评分
4楼

谢谢分享


工程师
2020-09-09 18:23:25    评分
5楼

学习一下                  


工程师
2020-09-09 18:27:06    评分
6楼

学习到了


助工
2020-09-09 18:30:48    评分
7楼

学习一下


助工
2020-09-09 18:33:42    评分
8楼

学习一下


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