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浪涌保护器的基本要求是响应时间快，放电电流大，输出残余电压低和使用寿命长。要想达到上述要求需采用不同的保护元件或搭建多级保护电路。 常用的保护元件有四种：陶瓷（或玻璃）气体放电管（GDT）、金属氧化物压敏电阻（MOV）、瞬态抑制二极管（TVS）、半导体放电管（TSS）。

气体放电管（GDT）

其结构是在陶瓷外壳内部（两端有金属电极）充入惰性气体，比如氩气或氖气。当外部电压（两极）增大到使两极间的电场超过气体的绝缘强度时，两 极发生间隙击穿呈低阻状态。

压敏电阻（MOV）

压敏电阻是一种以氧化锌为主要成份的金属氧化物半导体，非线性电阻。当作用在两端的电压高于它的额定电压时，它的电阻将迅速减小而近似短路。

瞬态抑制二极管（TVS）

瞬态抑制二极管有单极性和双极性两种。其最大特点是响应时间非常快。

半导体放电管/晶闸管（TSS）

半导体放电管是基于可控硅的原理和机构的一种二端负阻器件，用于保护敏感易损的集成电路，使之免遭浪涌冲击而造成的损坏。半导体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。

信号浪涌保护器的工作原理

当浪涌电压加在保护电路的输入端时，响应速度最快的瞬态抑制二极管（TVS）首先动作。通过选择适当耦合元件(电感或电阻)参数使线路设计为在瞬态 抑制二极管可能损坏之前，随着放电电流的增加使其在L2上产生的压降加上在TVS上的压降达到压敏电阻（MOV）的击穿电压，这时MOV开始放电。同样，随着放电电流进一步增加使其在L1上的压降加上MOV击穿电压达到气体放电管（GDT）的动作电压，最终由GDT释放更大的浪涌电流，见下图。