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P02SCT3040KR-EVK-001是ROHM推出的半桥电路的SiC MOS管的评估板。

收到此开发板后，首先包装就非常的精美、可靠，不但使用了强力的保护棉，而且整个开发板及MOS管都用防静电袋包装，防护做的非常好。如下图：

之后通过查资料大致了解了一下此开发板的功能原理，P02SCT3040KR-EVK-001板子采用的是半桥电路的拓扑，最大支持电压为800V，并设置有过流保护。使用该评估板，可进行双脉冲测试、Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等评估。应用领域包括服务器、、太阳能逆变器、蓄电系统、电动汽车的充电站等。

使用的SiC MOS管为SCT3040KR，采用4引脚封装（TO-247-4L），可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。在传统的3引脚封装（TO-247N）中，源极引脚的电感分量※2）会引起栅极电压下降，并导致开关速度延迟。4引脚封装（TO-247-4L），可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚，因此，可减少电感分量的影响。这样，能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能，尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。

该评估板需要几个外部电源和输入信号源。为了避免任何形式的故障或破坏，务必遵循正确的上电和下电顺序，如下图所示。

上电顺序(左); 下电顺序(右)

该评估板配备了多个LED指示灯。 LED的位置如图所示，请注意，如果Alarm LED点亮，则板将进入Latch状态，说明外部电路存在故障。但是，该评估板配备了一个“复位”按钮，按该按钮可清除故障。 异常情况消除后，单板恢复正常工作状态。按下复位按钮（非锁定类型）可以清除锁。如果LS_FAULT和OCP LED同时亮起，请确保首先重置OCP。过电流保护（OCP）电路检测安装在LS MOSFET源极和PGND之间的电流检测电阻上的压降，将OCP检测信号输入到LS MOSFET驱动器IC（U102）的VTSIN输入（引脚01），在以下位置生成FLT信号输入端，使所有的CLK信号无效，包括HS端。

该评估板上，每个HS和LS都有两个通孔（无镀层），以便使用Rogowski电流探头轻松测量流到每个器件的电流。可以在HS的漏极引脚和LS的电源引脚上测量电流。

评估板上的连接器接口定义如下图：

在CN202连接器正常接入12V直流电源后，LED201,LED51和LED151绿灯常亮，如下图：

测试CN201连接器的电压，01引脚的使能端电压为5V，08引脚电压也为5V，测试电压如下两图：

测试结果显示，电压的稳定精度很高，达到了0.2%。

由于功率管子还没焊接上，测试了Q51和Q151的G和S间的电压值如下两图所示：

总之，ROHM半导体的这款开发板做的非常好，不但可以很好的验证碳化硅器件的优越性能，还能帮助我们更深入的了解碳化硅器件及TO-247-4L封装的优点，同时还可以验证碳化硅器件在Boost电路、两电平逆变器、同步整流型Buck电路等不同拓扑机构上的使用方法及注意事项。对我们以后应用碳化硅，氮化镓等新型半导体器件也起到很好的指导作用。