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新器件，应该还在摸索中。谢谢楼主提供的资料

电路板寄生现象对 SiC 电路的负面影响

SiC 电路中的寄生电感和电容

首先，SiC MOSFET 具有理想的固有低寄生电容（CGD、CDS、CGS）。这种特性支持高开关频率，因此有助于实现高功率密度设计。但是，与这种好处如影随形的是，在布局中不可避免地容易受到寄生电感谐振影响的情况。寄生电感本身可存在于应用电路的栅极回路 (LGS) 和功率回路 (LDS) 以及共源极电感 (LCS) 之中。如之前所述，导致这些电感的因素包括走线长度很长，以及器件引线之间的电感。栅极回路电感会增加栅极电压的振铃，这反过来又会增加导通延迟，并且在某些情况下，会导致 MOSFET 的漏极-源极电压发生振荡振铃。通常，应最大限度地减小栅极回路电感以避免 MOSFET 的误工作，但这种寄生电感的影响是三种主要寄生电感中最小的。整个器件的过冲电压通常由功率回路电感（有时也称为开关回路电感）造成，而这会产生高开关损耗。共源极电感会在开关瞬变过程中产生对栅极驱动的电压反馈，抵消栅极电压的变化并减慢漏极电流，从而显著增加导通和关断时的开关损耗。[1]  此外，并联器件之间微小的寄生 LCS 不匹配情况也会在开关瞬变过程中造成电流不平衡，从而放大负栅电压反馈的影响。设计 PCB 时，不可能完全消除所有寄生电感和电容。但是，一些常用技术可以帮助最大限度地减小这些电感和电容。应对 SiC 栅极驱动布局方面的挑战使功率曲线远离栅极回路典型情况下，在单层 PCB 上布线的功率回路通常被称为“横向功率回路”。而第一个内层用作“屏蔽层”，以减少功率回路中高开关频率所产生的磁场的影响（图 2）。功率回路中的脉冲电流在屏蔽层内催生出电流和磁场，从而抵消功率回路中的电流和磁场。最终，由于有效地减小了功率回路和栅极驱动回路内包含的面积，这将降低寄生电感。

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