这些小活动你都参加了吗?快来围观一下吧!>>
电子产品世界 » 论坛首页 » 综合技术 » 电源与模拟 » 电力电子器件的总结

共4条 1/1 1 跳转至

电力电子器件的总结

工程师
2022-10-12 18:29:36     打赏
一.电力晶体管GTR1. 晶体管与三极管的区别I. 三极管和晶体管都有:截止区、放大区、饱和区;II. 三极管工作在放大区;III. 晶体管在开关过程中,主要工作在饱和区和截止区;


2. 晶体管的动态特性I. GTR用基极电流控制集电极电流;II. GTR在开通和关断的时候有时间延迟,这主要是****结势垒电容和集电结势垒电容充电和放电产生的;III. 增大基极电流可以缩短延时时间;


二.电力场效应晶体管MOSFET1. 电力MOSFET工作原理

电力MOSFET是电压控制电流型(通过控制栅源极间加正电压,来控制漏极电流)


I. 截止:漏源极间加正电源(漏极接电源正极,源极接电源负极),栅源极间电压为零-P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源之间无电流流过;II. 导通:漏源极间加正电源(漏极接电源正极,源极接电源负极),栅源极间加正电压Ugs


-当Ugs大于Ut时,P型半导体反型成N型形成反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电;


2. 电力MOSFET的转移特性漏极电流Id和栅源间的电压Ugs的关系成为MOS的转移特性下图表明,栅源电压对漏极电流的控制


3. 电力MOSFET的输出特性I. 工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间转换;II. 漏源间有寄生二极管,漏源加反向电压时,MOS导通;III. MOSFET开关速度非常快,频率可达100kHz,是电力电子器件中最高的;IV. MOSFET是场控器件,在静态时,几乎不需要输入电流。但是在开关过程中需要对电容充放电,需要一定的驱动。


三.绝缘栅双极晶体管IGBT1. 绝缘栅双极晶体管工作原理I. GTO和GTR是双极型电流驱动器件,具有电导调制效应,所以导电能力强(开通压降低)、开关速度低(少子的存储效应造成);II. MOSFET是单极型电压驱动器件,开关速度高,输入阻抗高;III. IGBT开通:当栅极和****极间的电压Uge大于开启电压Uge(th)时,MOSFET内形成沟道,并为晶体管提供基极电流Id进而促使IGBT导通;IV. IGBT关断:当栅极和****极间加反向电压或者不加电压时,MOSFET内的沟道消失,晶

体管的基极电流被斩断,IGBT关断。


2. IGBT特点总结I. IGBT开关速度快,开关损耗小;II. IGBT的安全工作区比较大;III. IGBT的通态压降比MOSFET低;


四.电力电子器件总结





关键词: 电力     电子器件     总结    

工程师
2022-10-12 18:54:44     打赏
2楼

总结的不错


工程师
2022-10-12 18:57:41     打赏
3楼

干货


工程师
2022-10-12 18:58:46     打赏
4楼

感谢分享


共4条 1/1 1 跳转至

回复

匿名不能发帖!请先 [ 登陆 注册 ]