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半导体外延和薄膜沉积是两种密切相关但又有显著区别的技术。以下是它们的主要差异：

半导体外延

• 核心特征：在单晶衬底上生长一层具有相同或相似晶格结构的单晶薄膜（外延层），强调晶体结构的连续性和匹配性36；

• 目的：通过精确控制材料的原子级排列，改善电学性能、减少缺陷，并为高性能器件提供基础结构。例如，硅基集成电路中的应变硅技术可提升电子迁移率4。

薄膜沉积

• 核心特征：在基底表面形成功能性薄膜，可以是多晶、非晶或无序结构，不严格要求与衬底的晶格匹配78；

• 目的：实现特定功能（如导电、绝缘、光学反射等），适用于更广泛的材料体系和应用场景。

半导体外延

• 典型技术：分子束外延（MBE）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）、气相外延（VPE）等6；

• 关键条件：高温环境（如SiC外延需1600~1660℃）、真空系统支持原位监测，以及严格的晶格匹配控制以确保单晶生长23；

• 特点：注重晶体质量，常用于制造晶体管、激光器等高精度器件。

薄膜沉积

• 分类：包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）等79；

• PVD（如溅射、蒸发）：依赖物理过程，适合金属或合金薄膜；

• CVD（如LPCVD、PECVD）：通过化学反应生成薄膜，可调控成分和厚度；

• ALD：以单原子层逐次沉积，实现亚纳米级精度控制9；

• 灵活性：允许使用多类材料，且对衬底尺寸和形状的限制较小。

半导体外延

• 材料类型：以同质外延为主，也可进行异质外延；

• 结构特点：外延层与衬底保持严格的晶格连续性，缺陷密度低，适用于高可靠性器件3；

• 应用实例：CMOS源漏区的选择性Si/SiGe外延可降低电阻并引入应力优化性能4。

薄膜沉积

• 材料多样性：涵盖金属、氧化物、氮化物等多种体系；

• 结构多样性：薄膜可以是多晶、非晶或多层堆叠，设计自由度高；

• 典型用途：如栅极介电层、金属互连线、钝化层等。

半导体外延

• 设备配置：高真空反应室、原位表征工具（如RHEED），背景真空度可达10⁻⁸mbar2；

• 生长参数：侧重于衬底温度、气体流量比和反应动力学平衡，需避免气相成核导致的多晶化2。

薄膜沉积

• 设备适配性：根据需求选择批量式（管式）或空间型（板式）设备，支持大面积均匀镀膜；

• 工艺调控：通过调节沉积速率、压力和等离子体能量优化薄膜质量，例如ALD的自限性反应可实现超薄层厚控制9。

半导体外延专注于单晶材料的高质量生长，服务于高性能器件的核心结构；而薄膜沉积则侧重于功能层的多样化制备，适应复杂工艺需求。两者在材料科学和半导体制造中互补共存，共同推动技术进步。