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快闪存储器厂商超捷(SST)与DRAM厂商力晶半导体(Powerchip Semiconductor)日前宣布，双方共同开发第三代超快闪(SuperFlash)存储器技术。双方已在力晶半导体的晶圆厂，以0.11微米工艺流程技术开发自行对准(Self-Aligned)第三代超快闪技术，未来计划将工艺流程技术微缩至90到65纳米。 超捷表示，其新一代超快闪技术可以生产NOR架构的高容量存储器产品，适用于被传统NAND架构独占的数据储存应用领域。第一个开发产品将是2Gb快闪存储器，其管脚及电气规格将与业界标准的NAND产品兼容。双方已完成新一代超快闪存储器存取单元结构及电性功能的验证。并预计在2004年内完成工艺流程及产品开发，以便在2005年量产2Gb产品。 根据该协议，双方同意使用力晶十二英寸晶圆厂生产超捷品牌及力晶品牌的超快闪数据储存产品。力晶将会根据力晶品牌超快闪数据储存产品的销售额，支付超捷权利金。 据了解，除了生产自己产品外，超捷也授权其超快闪技术给其它公司包括IBM、摩托罗拉、NEC、三星电子、东芝(Toshiba)与台积电。从1993年至今，超捷与其授权厂商已生产超过25亿颗超快闪产品。1993年发表的第一代超快闪已经被用于量产256Kb至16Mb的产品。第二代超快闪也于今年开始量产，并将用于最高至256Mb的产品。2002年开始研发的第三代超快闪，将用于256Mb至16Gb的产品。超捷相信超快闪是可广泛使用于嵌入式，程序储存及数据储存三大领域的最多用途快闪存储器技术。 超捷指出，超快闪技术属于NOR型分裂闸(split-gate)单元架构，其采用厚氧化物制程，并不需要过多生产步骤，即可生产出数据储存能力优越与高可靠度的低成本、非挥发性存储器解决方案。分裂闸NOR 超快闪架构提供简单、富弹性的设计，适用于高效能、高可靠度、中或小尺寸、系统内或外程序与各种不同密度的单一CMOS兼容技术。 超捷总裁及执行长叶炳辉(Bing Yeh)表示：“新一代的超快闪技术是以NOR架构取代目前产业界中NAND架构快闪存储器的重要关键。我们相信数据储存快闪存储器将超越动态存储器成为最大的存储器市场。”