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德国英飞凌公司日前表示，该公司将进入闪存业务，在德累斯顿的工厂已经开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。然而，英飞凌的行动比预期要稍后。当初英飞凌与以色列Saifun半导体有限公司成立闪存合资企业时，曾表示将在2003年下半年开始生产闪存。

Saifun公司主要从事研究和IP许可授权业务，该公司的“NROM”技术可以在很小的存储单元中进行数据存储。Saifun公司也把这项技术许可出售给AMD公司，也就是AMD公司称为“MirrorBit”的闪存技术。

英飞凌公司将最初始的闪存生产安排在德累斯顿的200毫米DRAM工厂开始。 英飞凌公司内存产品业务部首席执行官Harald Eggers表示，“通过进入闪存业务领域，英飞凌已经扩展了存储器产品线，我们可以同时提供DRAM和闪存产品。另外，TwinFlash技术允许我们在现有的DRAM设备上生产闪存芯片，大大节省了在制造设备上的投资。”

到2004年底，英飞凌公司计划每月制造超过10,000片晶圆，采用170纳米制造工艺。而2007年，该公司更希望在NAND市场成为前三甲。

“NAND闪存市场有可能是将来发展最快的存储器产品，”英飞凌公司闪存业务部总裁兼总经理Peter Kuecher表示，新推出的512Mb闪存采用TSOP封装，将定位在移动存储产品市场，如SD、MMC、闪存卡和记录棒，这些产品将主要用在数码相机和PDA产品中。