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瑞萨科技开发出superSRAM,率先实现无软错误低功耗SRAM

菜鸟
2005-12-08 15:27:00    评分
通过开发新型存储单元,并将SRAM单元与DRAM电容器技术相结合,瑞萨科技公司开发出了据称是业界第一个没有软错误的SRAM,称作"superSRAM"。这种新型SRAM将投入商业性生产,并用于移动应用中的16M位小功率SRAM。 在蜂窝电话和类似产品的移动市场上,越来越要求存储设备提供大容量、低功耗和小芯片尺寸。常规的基于CMOS的SRAM的元件面积,与使用同样工艺原理的DRAM相比,至少大10倍以上。因此,如果需要在小封装内安装大容量RAM,通常使用包括DRAM存储单元、SRAM接口的伪SRAM(PSRAM)。但是,PSRAM需要内部刷新操作,其待机电流比SRAM的待机电流高两位数,大约是100 μA。RAM数据的保持电流是影响移动电话待机时间的重要指标,因此需要提供大容量、低功耗、小尺寸的RAM。 尽管通过使用先进的工艺,常规的SRAM可以满足更大容量的需要;按比例缩小工艺也减小了存储单元的存储节点的电容,但这会导致常规SRAM产生软错误,尤其是当功耗很低时,很低的电源电压使得存储节点的电荷积聚量加速减少,使得与产品可靠性有关的软错误问题尤为突出。要防止这个问题,就要采用牺牲芯片面积等措施,以提高节点电容或提供ECC电路。 在这样的背景下,瑞萨科技进行了小尺寸、低功耗和高可靠性的存储技术的开发。瑞萨科技开发出了提供更小单元面积的新型存储单元,不需要附加的复杂工艺,实现了更高的软错误容错率,同时数据保持电流极低。 该款将投入商用的16M位小功率SRAM具有很高的软错误容错性,与瑞萨科技先前的0.13 μm工艺16M位小功率SRAM相比,软错误率大约减小了4个数位,此外,在业界0.15 μm工艺SRAM产品中,它具有最小的存储器元件尺寸――0.98 μm2,比瑞萨科技目前的基于CMOS 0.15 μm工艺的SRAM小一半多。另一个改善是其数据保持电流小于1 μA,其原因是与使用DRAM存储单元的PSRAM不同,SuperSRAM单元不需要刷新操作。由于是使用现有工艺,它可以很快地投放市场。而瑞萨科技表示正在进行32位SuperSRAM的开发。



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