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MOS,MOSFET 怎样判断一个功率MOS管已经被击穿,使用MOSFET管的一些问题

院士
2006-12-22 22:43:00    评分
MOS,MOSFET 怎样判断一个功率MOS管已经被击穿,使用MOSFET管的一些问题



关键词: MOSFET     怎样     判断     一个     功率     已经     击穿         

院士
2006-12-22 22:43:00    评分
2楼
问   我在使用IFR540功率MOS管做开关的时候,出现两个问题:
1 在接栅驱动电压(3.3v)和漏源电压(12v)后,IRF540导通,测漏源两极的电压有4V,但是IRF540的导通电阻只有44毫欧姆,电流为1A时也没有这么大啊?
2 在没有接栅驱动电压的时候,IRF540也是导通的,还随着漏源电压的增大,负载的电压也增大,且栅源间的电压也增大。
  在IRF540的栅源两极我并联了一个10欧姆的电阻,且还在栅极接了一个47欧姆的电阻,IRF540有电荷也应该可以流走啊?不知道是不是IFR540被击穿了?大家一般是怎样焊接功率MOS管的啊?烙铁没有接地可以吗?
   另外,为了防止静电,是不是一定要在功率MOS管的栅源间接一个栅保护二极管?如果要接的话,是不是要选择快关断的二极管呢?谢谢! 1: re1。   3.3V处于临界导通(或放大)状态,没饱和。
2。   坏了,但并不会那么骄气。 2: 在没有接栅驱动电压的时候,IRF540也是导通的   谢谢!(在IRF540的栅源两极我并联了一个10K欧姆的电阻)关键是第二个问题啊,在没有接栅驱动电压的时候,IRF540也是导通的,还随着漏源电压的增大,负载的电压也增大,且栅源间的电压也增大?

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