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问
为何有的IC设计时只能用PMOS,NMOS不是更常用吗?用PMOS的好处是什么呢
答 1:
什么结构的电路看你电路的结构了。我想在电路设计中不用NMOS不太可能吧。是多少的问题。
1、PMOS在LDO中作输出管是因为Vgs是负的,压差可以作很小。如果用NMOS,则栅压要大于漏电压以求较小的Rds(on),所以要么双电源,要么里面增加电荷泵电路。复杂。
2、偏置部分,道理同上。
3、差分输入,如果不是高频的话,则同尺寸的PMOS的噪声低于NMOS.
4、其他,请各位大侠来补充了。 答 2: 我记得好象PMOS有更低的导通电阻…… 答 3: 呵呵导通电阻与|Vgs-Vt|有关啊。|Vgs|越大,Ron越小。
PMOS工作是由于栅压是低于源电压的,所以很容易实现。
但是NMOS就不行了。要低压差那就要Vgs很大,但是由于
栅压要高于源才能工作,所以最小的压差起码是Vt(Vg=Vin).
也就是根本不能实现小的Ron.
但是NMOS输出补偿比较容易,所以在有的LDO设计中有采用
电荷泵来增加栅压的,也就是实现小的Ron.
当然另外一种方法就是采用双电源,即栅接电位高的电源,而漏接低电位的电源。
从实际上来讲,NMOS的迁移率大于PMOS(约2到3倍),如果两者|Vgs-Vt|及几何尺寸相同,NMOS的Ron要比PMOS小2到3倍。 答 4: 有时只能用PMOS,主要就是个“极性”的问题当MOSFET接在电路的“高端”做开关或线性控制,又找不到“更高”的电压去控制栅极,就只好选PMOS了
1、PMOS在LDO中作输出管是因为Vgs是负的,压差可以作很小。如果用NMOS,则栅压要大于漏电压以求较小的Rds(on),所以要么双电源,要么里面增加电荷泵电路。复杂。
2、偏置部分,道理同上。
3、差分输入,如果不是高频的话,则同尺寸的PMOS的噪声低于NMOS.
4、其他,请各位大侠来补充了。 答 2: 我记得好象PMOS有更低的导通电阻…… 答 3: 呵呵导通电阻与|Vgs-Vt|有关啊。|Vgs|越大,Ron越小。
PMOS工作是由于栅压是低于源电压的,所以很容易实现。
但是NMOS就不行了。要低压差那就要Vgs很大,但是由于
栅压要高于源才能工作,所以最小的压差起码是Vt(Vg=Vin).
也就是根本不能实现小的Ron.
但是NMOS输出补偿比较容易,所以在有的LDO设计中有采用
电荷泵来增加栅压的,也就是实现小的Ron.
当然另外一种方法就是采用双电源,即栅接电位高的电源,而漏接低电位的电源。
从实际上来讲,NMOS的迁移率大于PMOS(约2到3倍),如果两者|Vgs-Vt|及几何尺寸相同,NMOS的Ron要比PMOS小2到3倍。 答 4: 有时只能用PMOS,主要就是个“极性”的问题当MOSFET接在电路的“高端”做开关或线性控制,又找不到“更高”的电压去控制栅极,就只好选PMOS了
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