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CMOS 怎样除去CMOS图像传感器的干扰
问
CMOS图像传感器所存在的固定图像噪声、像素间的串扰以及暗电流的干扰
急急,
速度~~ 答 1: 制冷 maybe 答 2: 谁能帮我找有个更好的二极管图像传感器不是啊!
我找咯个雪崩光电二极管图像传感器(APDIS)[10],每个像素由雪崩光电二极管(APD)、高压稳定电路和图像读出电子部件组成。与常规CMOS有源像素传感器(CMOS-APS)比较,集成APD像素现存的反馈电阻将由反馈电容代替,放大器的热噪声为Vnamp=30nV/Hz1/2,源跟随器热噪声Vnsf=17nV/Hz1/2,C=200fF时,复位(kT/C)噪声的计算值为144μV;增益为1和15时,APD的噪声(inAPD)分别为3.2 ×10-33A2/Hz和14.4× 10-27A2/Hz。每个球形结构的APD的外部直径为48μm,像素数为12 ×24,芯片尺寸
为2.4mm×2.4mm,总的像素尺寸为154μm×71.5μm。
能不能帮我找一个更好的
答 3: EMC中干扰问题!!你们是生产COMS的还是上游厂商提供的?
如果是上游厂商提供的,他们肯定有这方面的好的解决方案的!
急急,
速度~~ 答 1: 制冷 maybe 答 2: 谁能帮我找有个更好的二极管图像传感器不是啊!
我找咯个雪崩光电二极管图像传感器(APDIS)[10],每个像素由雪崩光电二极管(APD)、高压稳定电路和图像读出电子部件组成。与常规CMOS有源像素传感器(CMOS-APS)比较,集成APD像素现存的反馈电阻将由反馈电容代替,放大器的热噪声为Vnamp=30nV/Hz1/2,源跟随器热噪声Vnsf=17nV/Hz1/2,C=200fF时,复位(kT/C)噪声的计算值为144μV;增益为1和15时,APD的噪声(inAPD)分别为3.2 ×10-33A2/Hz和14.4× 10-27A2/Hz。每个球形结构的APD的外部直径为48μm,像素数为12 ×24,芯片尺寸
为2.4mm×2.4mm,总的像素尺寸为154μm×71.5μm。
能不能帮我找一个更好的
答 3: EMC中干扰问题!!你们是生产COMS的还是上游厂商提供的?
如果是上游厂商提供的,他们肯定有这方面的好的解决方案的!
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