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IAR2,10,NO,INIT 在IAR2。10下如何定义信息存储器(NO——INIT)。
问
我采用好多种方法,都定义不到1000——10FF的地址空间。只在RAM中。
谢谢! 答 1: NO_INIT本来就是变量的类型,当然是在ram里 答 2: NO_INIT可以是FLASH中,但问题是如果在FLASH中,这个变量将无法被改变.应该将常熟定义在FLASH才是正确的. 答 3: 呵呵,不能改变的还是----变量----吗? 答 4: 您可能误解了,将“变量”定义在FLASH区不是不可以,但问题是既然是变量就有可能随时发生变化,这样务必就要对FLASH频繁的操作,当然会影响MCU的使用寿命。 答 5: no_init就是非易失性变量,一般公认的就是定义在ram区。既然现在想在info.flash区存放内容,那么为什么要违背常规而去使用no_init呢?
谢谢! 答 1: NO_INIT本来就是变量的类型,当然是在ram里 答 2: NO_INIT可以是FLASH中,但问题是如果在FLASH中,这个变量将无法被改变.应该将常熟定义在FLASH才是正确的. 答 3: 呵呵,不能改变的还是----变量----吗? 答 4: 您可能误解了,将“变量”定义在FLASH区不是不可以,但问题是既然是变量就有可能随时发生变化,这样务必就要对FLASH频繁的操作,当然会影响MCU的使用寿命。 答 5: no_init就是非易失性变量,一般公认的就是定义在ram区。既然现在想在info.flash区存放内容,那么为什么要违背常规而去使用no_init呢?
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