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问 DATASHEET里面并没有说明它的用法，只告诉接一个5V电压，弱弱的问问这个BIAS到底是什么啊，我是用这个芯片做3.3V--1.2V的LDO，没有5V可以提供给她，哪位帮我解释解释这个电压的含义啊，谢谢！ 答 1: Vbias含义从文章来看，Vbias是控制电路电源电压。
Vin单独给输出MOS提供负载电流。
如果Vbias比较高,则可以获的较高的栅压来驱动输出MOS管，可以得到较小的Rds(on),所以Vin可以很低，只比Vout高一点就行了。具体高多少还请看datasheet的内容。
这个我昨天在PMOS那个帖子还说到过双电源的LDO,就是指的是这个。
使用中Vbias比Vin要高，不然就不能实现Ultra low dropout(超低压差). 答 2: 再补充点如果Vbias=5V,而输出3.3V，则栅上的最大驱动电压约
5-3.3-Vds(on)~1.7V,Vds(on)是芯片内部的一个PMOS管,可能比较小，约几十mV吧。
如果输出1.2V则Vgs更大了。
这样NMOS管的漏电压可以比较低了(输出NMOS工作在triode区).
Vin只比Vout高100mV(datasheet里面说了，dropout=100mV@0.8A)
当然实际的使用中Vin-Vout要略高于dropout,不然此时的PSRR很差。 答 3: 感谢sheepyang，还是有两个问题想请教
如你所说：如果Vbias比较高,则可以获的较高的栅压来驱动输出MOS管，可以得到较小的Rds(on),所以Vin可以很低

也就是说如果我的Vin不是很低的话，那Vbias就不用太高了？
我的应用中Vin=3.3V   Vout=1.2V  电路中没有5V提供给Vbias，不知是否必须加这个电压？

顺便给出芯片的电路图和相关参数
Vin范围：(VOUT + VDO) to 5.5V
Vbias范围：4.5V to 6V 答 4: 这个应该控制/驱动部分的电源电压从这个资料来看，似乎必须要接固定的5V，驱动部分电路才能工作正常。 答 5: 哦，看来要想别的办法了提供5v电压不是很现实 答 6: 难道没有5V电源？5V的Vbias没有多大的电流，也就3mA(就是那个ground pin current).
要么就使用PMOS做输出管的LDO.只要一个电源。 答 7: 不如用个1117-ADJ吧，最小输出电压1.25，可能可以将就着用 答 8: 可供参考我是生产电源IC的厂家，我这边有LDO，DC-DC各种芯片，就看你的需求是什么，我们也可以提供技术支持，如果你有什么需求，可与我联系！我的电话：13814004457 孙先生 shc928@163.com 答 9: 将就用，有点不放心电压范围1.08-1.32v
那个lm1117最低是1.25，也就是极限值了 答 10: ST有1.2V输出的1117ST有，onsemi好象也有，
我所在的公司也有1.2V输出的1117,不好意思，本人负责该产品(做广告不好^_^)。
不过输入电压至少要2.5V。如果你的散热比较好的话就没问题。
因为设计时是将原来的1.25V的referen强制拉到1.2V的，所以温度系数
会略差点。全温范围(-40~125)变化30-40mV,正常的1.25V变化10-20mV. 答 11: 可供参考朋友，我们的工程师都是华侨从NS一些大公司回来后，自己开发的啊！而且我们的精圆在欧洲做，你可以放心，我们的产品给国内外厂家都在合作。你如果你这方面的需求，你可以与我联系！13814004457 或者你可以跟我留个号码！我们详谈一下 答 12: LM1117好像便宜一些啊上面两位能把1.2V LM1117资料给我一份吗？
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