“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安),用于功率输出级的器件。
MOSFET共有三个脚,一般为G、D、S,通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。功率MOSFET是一种多子导电的单极型电压控制器件,具有开关速度快、高频特性好、热稳定性优良、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。目前,功率MOSFET的指标达到耐压600V、电流70A、工作频率100kHz的水平,在开关电源、办公设备、中小功率电机调速中得到广泛的应用,使功率变换装置实现高效率和小型化。
功率MOSFET与双极型功率相比具有如下特点:
1.MOSFET是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件),因此在驱动大电流时无需推动级,电路较简单;
2.输入阻抗高,可达108Ω以上;
3.工作频率范围宽,开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒),开关损耗小;
4.有较优良的线性区,并且MOSFET的输入电容比双极型的输入电容小得多,所以它的交流输入阻抗极高;噪声也小,最合适制作Hi-Fi音响;
5.功率MOSFET可以多个并联使用,增加输出电流而无需均流电阻。
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