图中的DIORn和DIOWn两个信号的低电平持续时间是用同一个计数器模块来实现的,给的计数器的参数相同(即计数时长相等)。我设置的延时大概是300ns左右,做功能仿真时各段低电平保持时间都满足条件,然而综合实现后烧到FPGA中,用chipscope观察,左边的两段低电平持续时间却只有230ns左右了。按理说加上寄存器、布局布线等延时后低电平的持续期应该大于等于300ns才对啊,怎么会比300ns小呢?!!
是否与综合设置和综合器有关?因为我每综合一次后低电平变短的位置有可能不同了,我用的是ISE自带的综合器