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专家
2011-04-29 11:44:03     打赏
11楼
控制器必须产生一个与DQ数据信号中心对齐的DQS信号

专家
2011-04-29 11:50:58     打赏
12楼

1、  页读操作:初始上电时,器件进入缺省的“读方式1模式”。在这一模式下,页读操作通过将指令00H写入指令寄存器,接着写入3个地址(1个列地址、2个行地址)来启动。一旦页读指令被器件锁存,下面的页读操作就不需要再重复写入指令了。

写入指令和地址后,处理器可以通过对信号线R/B的分析来判断该操作是否完成。如果信号为低电平,表示器件正“忙”;为高电平,说明器件内部操作完成,要读取的数据被送入数据寄存器。外部控制器可以在50ns为周期的连续RE脉冲信号的控制下,从I/O口一次读出数据。连续页读操作中,输出的数据是从指定的列地址开始,直到该页的最后一个列地址的数据为止。

2、  页写操作:K9F1208UOB的写入操作也是以页为单位的。写入必须在擦除之后,否则写入将出错。页写入周期总共包括3个步骤:写入串行数据输入指令(80H),然后写入3个字节的地址信息,最后串行写入数据。串行写入的数据最多为528字节,它们首先被写入器件内的页寄存器,接着器件进入一个内部写入过程,将数据从页寄存器写入存储宏单元。

串行数据写入完成后,需要写入“页写入确认”指令10H,这条指令将初始化器件内部的写入操作。如果单独写入10H而没有前面的步骤,则10H不起作用。10H写入后K9F1208UOB的内部写控制器将自动执行内部写入和校验中必要的算法和时序,这时系统控制器就可以去做别的事了

内部写入操作开始后,器件自动进入“读状态寄存器模式”。在这一模式下,当RECE为低电平时,系统可以读取状态寄存器。可以通过R/B的输出,或读状态寄存器的状态位(I/O 6)来判断内部写入操作是否结束。在器件进行内部写入操作时,只有读状态寄存器指令和复位指令会被响应。当页写入操作完成,应该检测写状态字(I/O 0 )的电平。

内部写校验只对没有成功地写为0的情况进行检测。指令寄存器始终保持着读状态寄存器模式,直到其他有效的指令写入指令寄存器为止。

3、  块擦除操作:擦除操作是以块为单位进行的。擦除的启动指令为60H,块地址的输入通过两个时钟周期完成。这时只有地址位A14~A24是有效的,A9~A13被忽略。块地址载入之后执行擦除确认指令D0H,它用来初始化内部擦除操作。擦除确认命令还用来防止外部干扰产生擦除操作的意外情况。器件检测到擦除确认命令输入后,在WE的上升沿启动内部写控制器开始执行擦除和擦除校验。内部擦除操作完成后,检测写状态位(I/O 0 ),从而了解擦除操作是否有错误发生

4、  读状态寄存器:K9F1208UOB包含一个状态寄存器,该寄存器反应了写入或擦除操作是否完成,或写入和擦除操作是否无错。写入70H指令,启动读状态寄存器周期。状态寄存器的内容将在CERE的下降沿送出到I/O端口。

器件一旦接收到读状态寄存器的指令,它就将保持状态寄存器在读状态,直到有其他的指令输入。因此,如果在任意读操作中采用了状态寄存器读操作,则在连续读的过程中,必须重发送00h50h指令

5、  读器件ID:K9F1208UOB 器件具有一个产品鉴定识别码(ID),系统控制器可以读出这个ID,从而起到识别器件的作用。读ID 的步骤是:写入90h 指令,然后写入一个地址00h。在两个读周期下,厂商代码和器件代码将被连续输出至I/O口。

同样,一旦进入这种命令模式,器件将保持这种命令状态,直到接收到其他的指令为止。

6、  复位:器件提供一个复位指令,通过向指令寄存器写入FF来完成对器件的复位,当器件处于任意读模式、写入或擦除模式的忙状态时,发送复位指令可以使器件中止当前的操作,正在被修改的存储器宏单元的内容不再有效,指令寄存器被清零并等待下一条的到来。当WP为高时,状态寄存器为清为C0H


专家
2011-04-29 11:51:49     打赏
13楼
这是以K9F1208UO为例的NAND flash操作!

高工
2011-05-03 15:02:33     打赏
14楼

呵呵,jackwang展示了他的E71


专家
2011-05-03 15:14:25     打赏
15楼
我也想换个有GPS导航的手机!!

菜鸟
2011-05-04 21:48:14     打赏
16楼
谢谢!时序是由控制器控制的,但是并没有专门的时钟信号,我个人理解可能是时序比较简单吧?

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