RT，一般应用的时候是不是不需要接外部电容的？我想知道如果在理论计算的时候，晶振本身的负载电容取多少，查了一些资料，说法都不太一样，有的说是12.5pF，还有的说是22pF，不知道究竟是多少，求高手指教)
PS：
由于两个22pF的电容串联后容量约为11pF，约等于12.5pF，所以是不是理解为晶振负载电容为12.5pF，外接电容的容量选用22pF？
一般用的32.768KHz的圆柱晶振的负载电容是多少呢？怎样计算外接匹配电容呢？
2楼
C1、C2为对地电容
负载电容Cf=[Cd*Cg/(Cd+Cg)]+Cic+dC
Cd、Cg为晶振两引脚对地电容
Cic：集成电路的内部电容
dC：电路板寄生电容（2~5pF）
之后就要看晶振的数据表要求的负载电容是多少了，比如要求Cf=12.5pF，
则计算Cd=Cg=[Cf-（Cic+dC）]*2约为20pF左右
你说的那个12.5pF是晶振的负载电容，而那个22是计算出来的起振电容，也就是我上面算出来的20pF
4楼
首先得搞清楚负载电容和外接电容是两码事
负载电容是晶振数据手册上要求的那个电容值
不同于晶振管脚外接的那俩电容，需要计算
负载电容是晶振数据手册上要求的那个电容值
不同于晶振管脚外接的那俩电容，需要计算
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