网站首页
这些小活动你都参加了吗？快来围观一下吧！>>
电子产品世界 » 论坛首页 » 企业专区 » Renesas » Data Flash操作/自编程/EEPROM模拟介绍使用篇[答题有礼]

共29条 1/3 1 2 3 › 跳转至页

Data Flash操作/自编程/EEPROM模拟介绍使用篇[答题有礼]

瑞萨电子
助工
2012-08-30 16:21:04     打赏
先启个头，看到有TX问相关的问题，无奈还没有空静下心来好好写，就先开个头，抛砖引玉

目前RL78提供了三种库，都可以用在CubeSuite+或IAR环境中调用
DATA Flash操作库
1. Data Flash操作库FDL Type01   RENESAS_FDL_RL78_T01E_V1.10.zip
    对应文档   Data Flash Access Library FDL-T01.pdf

2. Data Flash操作库PFDL Type04  RENESAS_FDL_RL78_T04E_V1.00.zip
   对应文档   Data Flash Access Library Pico FDL-T04.pdf

FDL是Data Flash Library的缩写，我们可以通过FDL对Data Flash进行操作。FDL和PFDL都可以对Data Flash进行操作，但是有些区别，这里先卖个关子，研究出区别的TX可以获得神秘小礼物一份,越详细越好哦,有奖回答截至到9月底（嘿嘿）
PFDL的资源需求见下图，可以以字节为单位进行写入，很经济实用的库,比如说你只需要在DataFlash里存储两个需断电保存数据,则用PFDL就可以了.

操作流程图很长，但是不难理解


3. EEPROM模拟库EEL Type01  RENESAS_EEL_RL78_T01E_V1.10.zip
   对应文档  EEPROM Emulation Library EEL-T01.pdf
 
EEPROM模拟库基于FDL库加入了算法,模拟EEPROM操作
Flash操作库  
4. FSL自编程库Type01  RENESAS_FSL_RL78_T01E_V1.01.zip
   对应文档  R01US0016ED0102_Flash Self-programming Library for RL78 Flash devices FSL - T01.pdf （文档号：R01US0016ED0102）

 再看看Flash的擦写次数,Data Flash在100万次擦写后数据仍可保持1年,10万次擦写后数据可保持5年,对Code Flash擦写1000次后仍可保持20年


楼主懒，但努力更新中。。。
回复
收藏
0



关键词： Flash     操作     编程     EEPROM     模拟     介绍         

Rancho
高工
2012-08-30 17:30:11     打赏
2楼

值得一看。。。


评论
sacq
高工
2012-08-30 23:20:46     打赏
3楼
等着科普。。

评论
jobs
院士
2012-08-30 23:22:35     打赏
4楼
这个还是超级好用的东西……

评论
jobs
院士
2012-09-03 13:24:24     打赏
5楼
上次回帖的时候，没有发现有奖啊~~

评论
瑞萨小鱼
菜鸟
2012-09-03 13:30:40     打赏
6楼
奖总是不经意地出现的，奖总是青睐勤于翻帖的TX

评论
wangku001wei
高工
2012-09-03 14:01:22     打赏
7楼

按照我之前使用的情况 
我觉得 
FDL读写是按一次四字节的方式。
PFDL则可以一个字节的方式读写


评论
campozeng
工程师
2012-09-03 20:46:12     打赏
8楼
有奖？什么奖啊？我怎么没有

评论
yaohua807
菜鸟
2012-10-17 12:36:48     打赏
9楼
PFDL的note2表明了他要占用大量的ram，看看G12的数据手册里面说道使用data flash时禁止使用的ram就知道了。比如1026A中FF900~FFC80,FFE20~FFEFF就不能用了，天那可是1.1K的ram啊，只留下400多字节给我了，而且占用了全部saddr的空间。

不知道用FDL是不是就不占用那些ram了呢，而且saddr空间只占用2个（而且可以重新定位的），有哪位大神知道啊？有没有资料啊

评论
山峰上的鱼儿
助工
2012-10-18 17:30:11     打赏
10楼
帮顶了

评论
共29条 1/3 1 2 3 › 跳转至页

回复

匿名不能发帖！请先 [ 登陆 注册 ]