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场效应管，分NP型，增强型耗尽型。

和晶体管最大的区别就是：场效应管可以用来做电子开关，即小电压控制大电压；

晶体管的话，一般用来进行电流放大。

楼下继续补充！

结构上看，场效应管是单极性晶体管。

而提到的晶体管是双极性晶体管。

按狭义的定义场管属于晶体管。上面说的晶体管应该特指三极管，下同。

场效应管，简称场管，是电压控制的沟道导电型半导体器件，一般分为增强型和耗尽型，或者按控制信号分为P沟道和N沟道。与晶体管作用类似，区别较大。

主要区别有：

符号不同：略去两张图。

电极名称不同：场管分别成为 源极S，栅极G，漏极D。对应晶体管分为 发射级E，基极B，集电极C。

导电类型不同：如上，场管是沟道导电，晶体管是空穴—载流子导电。

控制信号不同：场管是开启型器件，栅极控制信号为电压信号，输入阻抗一般非常高，通常可以当成绝缘处理。晶体管是电流开启型器件，基极需要有一定的电流才能开启，输入阻抗一般较低，约为几十到几百K，尤其大功率型号，放大倍数较低，驱动电流较大，设计时要考虑驱动功率。

导通压降不同：场管一般导通电阻非常小，更有大功率型号低至毫欧级别，因此导通压降可以非常低。晶体管导通一般存在零点几伏的节压降，大电流会发热严重。

输入特性不同：场管一般输入电容较大，需要加泄放电路才能稳定可靠，晶体管则不必。

下班了，抓紧写完吃饭

需要的防护不同：晶体管由于各级之间电阻较小，漏电流较大，不需要特殊防护。但是场管往往需要加防静电措施，和钳位措施，以免静电累积击穿。

其他区别有人叫板再补充，先去吃饭

解答：
首先阐明一下题意，“严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。”——引自百度百科。所以说严格上讲，场效应管是属于晶体管的，但是通常所说的晶体管指的是晶体三极管（消息君也是最近在论坛上看到的）。

1. 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管，是一种通过电场效应控制电流的电子元件。其具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。它可分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。

2. 场效应管与晶体管的比较：



   场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

   场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。

   有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

   场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便   地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

三极管也能控制十几伏的电压通断啊。具体的电压分水岭在哪？

在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管

---是基于成本考虑吗？例如，SI2305大概几毛钱一颗，8550则几分钱一颗。

三极管的基级和mos管的栅极是否需要电流驱动。这个是二者之间的典型区别