在汽车半导体产品应用中，功率MOSFET经常会遇到热设计的挑战。一方面，汽车内电子设备的数量越来越多，其对于功率输出的需求也越来越高；另一方面，由于整体车内空间的限制，对于单个模块的空间尺寸要求又非常受限。就功率MOSFET器件而言，不仅要求本身能够承受较高的功率密度，而且在PCB的散热设计上也需要有相应的优化。
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