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300个字节的数据如何在系统掉电时比较好的保存到EEPROM中？

明月风
工程师
2021-08-30 20:28:09     打赏

程序中大于用到300个字节的需要掉电保存的数据，我都放在一个结构体中，使用过程中每次操作一次就改一两个数据，我现在的做法是改完数据后，进算所有数据的crc，然后和以前没改数据之前的crc比较，要是不一样就认为数据有改动，然后进行所有数据写eeprom操作。这样做的话其他大量没改动的数据都保存了一遍，我觉得没必要。


有没有办法只保存改动过的数据。然后计算crc再保存crc。这样每次保存的话只需保存改动的数据和crc就可以了。

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关键词： EEPROM     掉电     保存     存储    

从小就是电子迷
工程师
2021-08-30 20:58:07     打赏
2楼

才300个数据而已
不在乎时间的话，想怎么保存就怎么保存。
无论怎么保存，写入寿命都是一样的。不建议在这种无关紧要的事情上浪费时间。。


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万世浮华
工程师
2021-08-30 21:04:53     打赏
3楼

用CRC校验数据是否改动过，有一定的碰撞概率，不建议这样操作。
操作完成后，与原来的对比一下，不一样就说明被改动了。
或者可以更简单一些：只要操作过了，就算是有改动。


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bai8
工程师
2021-08-30 21:12:09     打赏
4楼

最好是分区存放，肯定是有需要经常修改的参数，放在一起，还有就是你用的是eeprom芯片还是flash芯片，两者的寿命根本不在一个级别


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能力就是实力
工程师
2021-09-02 08:51:02     打赏
5楼

可以搞双RAM备份, 双flash备份。
RAM里面逐个字节比，搞神马CRC啊。算个CRC的时间，早比较完了。


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白岭
工程师
2021-09-02 09:01:42     打赏
6楼

没有必要啊！

EEPROM都有页写,你写一个字节和写一页的时间是相同的,
那样做是会导致程序逻辑不清晰
放在结构体里是合理的,只是不需要一改动就回写吧,只在掉电或修改确定后(比如修改参数的任务退出后)再保存即可
不需要计算什么CRC吧,直接内存比较不就可以了嘛！


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