7N80详细参数：

型号：ASEMI场效应管7N80

漏源电压（VDS）：800V

栅源电压（VGS）：±30V

漏极电流-持续（TC=25°C）（ID）：7A

漏极脉冲电流（IDM）：28A

耗散功率（TC=25°C）（PD）：140W

雪崩电流（IAR）：7A

贮存温度范围（TSTG）：-55 to +150℃

芯片对管壳热阻（RθJC）：0.89℃/W

芯片对环境的热阻（RθJA）：62.5℃/W

漏源击穿电压（BVDSS）：800V

漏源击穿电流（IDSS）：1uA

栅源漏电流（IGSS）：±100nA

栅极开启电压（VGS(th)）：5V

导通电阻（RDS(on)）：1.9Ω

输入电容（Ciss）：1178pF

输出电容（Coss）：133pF

开启上升时间（tr）：35ns

关断下降时间（tf）：32ns

栅极电荷量（QG）：50nC

源-漏二极管压降（VSD）：1.4V

反向恢复时间（trr）：320nS

反向恢复电荷（Qrr）：2.4uC

7N80性能特点：

开关速度快

低导通电阻

低反向传输电容

低栅极电荷量

100%单脉冲雪崩能量测试

提升了dv/dt能力

7N80机械性能：

注塑成型封装

适用任何位置安装

封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准

加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s

封装形式: TO-220AB, TO-220F, TO-263