碳化硅SiC模块(丹弗斯DCM1200V800A)ASC800N1200DCS12:高温、高湿、偏置操作;超低损耗<5nH;高频操作;MOSFET的零关断尾电流;正常关闭,故障安全设备操作;易于并行;铜底板和氮化硅绝缘体。ASC800N1200DCS12 模块助力高速发展的纯电动汽车 (BEV)、插电式混合动力汽车 (PHEV) 和混合动力汽车 (HEV),针对牵引应用开发的功率模块.ASC800N1200DCS12 -.pdf
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ASC800N1200DCS12(丹弗斯DCM1200V800A)
SiCMOSFET 具有理想的固有低寄生电容(CGD、CDS、CGS)。
高温、高湿、超低损耗
SiC MOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单
这种模块电控上用的很火