HC32L110系列的低功耗片子，想采用外部32.768K的低速晶振来获取高精度的低功耗操作，现在的问题是：晶振的参数：晶振频率：32.768K，负载电容：12.5PF，并联电容：1.1PF，ESR:70K
计算得到的gmcrit=2.195uA/V，按照跨导裕度要求，芯片gm要大于5倍gmcrit，也就是说芯片的要gm≥11uA/V才行，查芯片手册gm=2.5uA/V，远不能满足要求？
另外，关于REXT的取值，一般取匹配电容的容抗值，则当匹配电容选择22PF时，计算到的REXT=220KΩ，是否合理？