如附件的电路图，开始时MOS管处于关断状态，电容电压为０Ｖ。当MOS的gate突然加一个15V的高电压，电容C1开始充电，电压上升，即MOS管的DS电压开始从400V下降到0V的过程中，Vds>Vgs-Vth,MOS工作于线性恒流区，电流峰值被MOS管限制在5A左右（如图3的Id电流与Vds关系），脉冲电流宽度8us，这个时候的单脉冲能量近似为E=U*I*t=400V/2*5A*8us=8mJ,请问MOS管中有什么参数能够评估MOS能不能承受这样的瞬间能量？谢谢各位前辈！！
关于瞬态结温，有两个方法：1）计算法：用刚才获得的瞬态能耗，乘以该元件的瞬态热阻，就是理论结温。2）实测法：完整测量电容放电后瞬间；反向对MOSFET通电，测得MOSFET寄生二极管电压、电流值。反查该二极管V-I特性，即可获得真实结温。
感谢分享好经验
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