如附件的电路图，开始时MOS管处于关断状态，电容电压为０Ｖ。当MOS的gate突然加一个15V的高电压，电容C1开始充电，电压上升，即MOS管的DS电压开始从400V下降到0V的过程中，Vds>Vgs-Vth,MOS工作于线性恒流区，电流峰值被MOS管限制在5A左右（如图3的Id电流与Vds关系），脉冲电流宽度8us，这个时候的单脉冲能量近似为E=U*I*t=400V/2*5A*8us=8mJ,
请问MOS管中有什么参数能够评估MOS能不能承受这样的瞬间能量？
谢谢各位前辈！！
 我要赚赏金打赏帖 |
|
|---|---|
| 28BYJ-48机械臂实现人脸跟随被打赏￥24元 | |
| 基于RK3506B的片温识读功能的实现被打赏￥25元 | |
| 【瑞萨RA8D1测评】基于FreeRTOS的lvgl移植教程被打赏￥29元 | |
| 电子价签墨水屏开发被打赏￥35元 | |
| 【Ozone】RTT 打印终端使用被打赏￥29元 | |
| BMS保护板绝缘检测功能-不平衡电桥技术绝缘电阻检测设计与实现被打赏￥34元 | |
| 给28BYJ-48三自由度机械臂加一个网页控制台被打赏￥32元 | |
| 用28BYJ-48电机从零搭一台三自由度机械臂被打赏￥33元 | |
| 【英飞凌开发经验】ModusToolbox配置EdgeTalk外设被打赏￥27元 | |
| 基于BQ76952PFBR的BMS保护板热插拔损坏的原因和处理措施被打赏￥32元 | |
STM32
MCU
通讯及无线技术
物联网技术
电子DIY
板卡试用
基础知识
软件与操作系统
我爱生活
小e食堂
