如附件的电路图,开始时MOS管处于关断状态,电容电压为0V。当MOS的gate突然加一个15V的高电压,电容C1开始充电,电压上升,即MOS管的DS电压开始从400V下降到0V的过程中,Vds>Vgs-Vth,MOS工作于线性恒流区,电流峰值被MOS管限制在5A左右(如图3的Id电流与Vds关系),脉冲电流宽度8us,这个时候的单脉冲能量近似为E=U*I*t=400V/2*5A*8us=8mJ,
请问MOS管中有什么参数能够评估MOS能不能承受这样的瞬间能量?
谢谢各位前辈!!
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