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MOS管单脉冲能量怎么评估?

工程师
2023-09-13 09:31:00     打赏

如附件的电路图,开始时MOS管处于关断状态,电容电压为0V。当MOS的gate突然加一个15V的高电压,电容C1开始充电,电压上升,即MOS管的DS电压开始从400V下降到0V的过程中,Vds>Vgs-Vth,MOS工作于线性恒流区,电流峰值被MOS管限制在5A左右(如图3的Id电流与Vds关系),脉冲电流宽度8us,这个时候的单脉冲能量近似为E=U*I*t=400V/2*5A*8us=8mJ,

请问MOS管中有什么参数能够评估MOS能不能承受这样的瞬间能量?
谢谢各位前辈!!

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高工
2023-09-13 09:37:56     打赏
2楼

关于瞬态结温,有两个方法:
1)计算法:用刚才获得的瞬态能耗,乘以该元件的瞬态热阻,就是理论结温。
2)实测法:完整测量电容放电后瞬间;反向对MOSFET通电,测得MOSFET寄生二极管电压、电流值。反查该二极管V-I特性,即可获得真实结温。


专家
2023-09-13 10:15:09     打赏
3楼

感谢分享好经验


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