二极管引脚间施加反向电压时,存储的电荷量称为引脚间电容(CT)。接合P层和N层,则空穴与电子结合,在界面形成电气特性为中性的耗尽层。 耗尽层起到寄生电容器的作用,其电容值(CT) 与PN结的面积成正比,与距离 (d) 成反比。距离由P层、N层浓度等因素设计而成。向二极管施加电压,则耗尽层扩大,CT下降。 根据使用的应用不同,其要求的CT值不同。
耗尽层越宽(d大)CT越低。
二极管引脚间施加反向电压时,存储的电荷量称为引脚间电容(CT)。接合P层和N层,则空穴与电子结合,在界面形成电气特性为中性的耗尽层。 耗尽层起到寄生电容器的作用,其电容值(CT) 与PN结的面积成正比,与距离 (d) 成反比。距离由P层、N层浓度等因素设计而成。向二极管施加电压,则耗尽层扩大,CT下降。 根据使用的应用不同,其要求的CT值不同。
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