由英飞凌科技与南亚科技的合资的300mm半导体厂华亚科技日前正式启用，该厂预估最大月产能可达50,000片晶圆，目前采用110纳米沟槽式技术的首批产品正在量产，预计将有助于英飞凌与南亚扩大其在DRAM市场上的占有率。 英飞凌与南亚之间的这项标准内存芯片的策略性合作开始于2002年11月。除了成立双方持股各半的华亚科技这家合资企业之外，双方也正在联手开发90纳米与70纳米的沟槽式技术。 据悉，华亚的300mm半导体厂将会随着全球半导体市场的成长与发展，分为两阶段完成。随着DRAM产品在今年4月开始生产，第一阶段已经宣告如期完成。2004年底前，每个月计划产出大约20,000片晶圆。华亚初期所生产的内存产品以110纳米技术为基础，预期将在2005年开始转换到90纳米来生产。 第二阶段的生产预期会在2005年底前完成，届时每个月的产能将增加到大约50,000片晶圆，成为全世界产能最大的DRAM半导体厂。据了解，这家合资企业的总投资额大约是22亿美元。目前该公司有1,100名员工。预计到达第二阶段时，还会增加500个员工，使员工人数至1,600名。