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我分析了一下，SDRAM一般都有4个BANK，通过BA0、BA1来切换。每种芯片bank大小不一样，有1M＊16bit，也有2M＊16bit的。SDRAM行地址线数一般为12位（0－11），列地址线数可变，一般为8到11位。对于2M＊16bit可以在SDRAMCON中将列地址线数设为9。而BA0、BA1可由地址线A12，A13来切换。这样理论上S3C4510B的一个片选可以支持4M，8M，16,32M　WORDS的sdram。　不知道我的分析有没有道理？？？　望各位大侠赐教。。。（对了，我采用由两片16位的sdram来形成32位宽度，共用一个片选）

大家别不说话呀!

KS32C50100 can support below Samsung’ s SDRAM configuration for each bank. · 16M SDRAM ü KM44S4020C: 2M x 4bit with 2 banks ü KM48S2020C: 1M x 8bit with 2 banks ü KM416S1020C: 512K x 16bit x 2 banks · 64M 2 banks SDRAM ü KM44S16020B: 8M x 4bit with 2 banks ü KM48S8020B: 4M x 8bit with 2 banks ü KM416S4020B: 2M x 16bit x 2 banks · 64M 4 banks SDRAM ü KM44S16030B/C: 4M x 4bit with 4 banks ü KM48S8030B/C: 2M x 8bit with 4 banks ü KM416S4030B/C: 1M x 16bit x 4 banks · 2Mx32 4 banks SDRAM ü KM432S2030B: 512K x 32bit with 4 banks