EEPW论坛

回答得有点珊珊来迟现在补上：

左边的场馆称为V1右边的为V2

首先电源12V进入V1。因为V1是低电平导通的，这样V1比V2的导通要快一步，在V2导通之前V1直接拉低了V2的导通电流。这样右边的绕组产生感应电动势，电压的极性为左正右负，电流由绕组交点到左边的150电阻，要结合上面的图一起看，到达V2的栅级再到绕组的尾。形成一个回路，这样V2就导通了，

如此V1的电流必会下降，V2有电流流过，电流有突变的情况，在绕组的左边会产生左负右正的电压，电流从交点到右边的150电阻至100欧姆电阻进入栅极回到电源负极，这样V1截止。但是这只是暂时截止，因为这个感应电流不会太久一旦消失则V1又回到导通状态，在绕组的右端产生感应电压，如此谐振，后面都是一直振，起振的是V1。

大家分析时结合着上面地 图来看，这个电路的缺点是比较大的。因为在V1和V2的工作期间都会导通一个，虽说时间短暂，长时间工作发热必定会高，在散热方面要做足功夫。而且消耗的电量也是比较大。而比起第十弹的零电压关断的场馆来说，优点是看得见的。

对于负载方面，大家可能就会疑问负载处串联了俩个电容，那输出功率能达到300W。有1A电流左右，这一就要注意了， 电容对交流是呈导通姿态的。要说明大的是这里的无极性电容当然不是我们平时使用的瓷片电容。而是高频电容。

说的不是太好，请大家批评指正。

我是要反省一下了，竟然没注意这个，太大失误了，谢谢你。同学，我也是学生，我们一起学习。

增强和耗尽型的MOS最大的区别就是导通条件不同，P沟道与N沟道就是导通方向不同，

这个电路图的原理我再重新绘画下，别误人子弟了，第十弹还需要画那个电流流向图吗