这些小活动你都参加了吗?快来围观一下吧!>>
电子产品世界 » 论坛首页 » 综合技术 » 电源与模拟 » 碳化硅(SiC)MOSFET性能的优势,国产碳化硅MOS选型介绍

共45条 1/5 1 2 3 4 5 ›| 跳转至

碳化硅(SiC)MOSFET性能的优势,国产碳化硅MOS选型介绍

助工
2022-03-08 16:10:49     打赏

SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于 SiC 功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统 (ESS)、不间断电源 (UPS) 和电动汽车)中优化性能。ASC30N650MT4.pdf ASC60N650MT4 -PDF.pdf ASC30N1200MT4 -PDF.pdf ASC60N1200MT4 -PDF.pdf ASC100N1200MT4 -PDF.pdf  ASC5N1700MT3.pdf ASC100N1700MT4-PDF.pdf  ASC20N3300MT4-PDF.pdf        

1、要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt耐受能力。

2、要求驱动器的传播延迟很低且抖动量很小,以便有效传递高开关频率下的非常短的脉冲。

3、要求驱动器具有双路输出端口。

4、支持高开关频率(开关频率至少支持400KHz

5、支持高安全隔离电压

63-5V的负压关断,开启要18V-20V

 高达4A峰值驱动电流,-40~125度宽温度范围,通过AEC-Q100认证。

 业界最高的抗扰性能(200kV/μs)和闩锁免疫能力(400kV/μs),支持超快速开关。

 最大60ns传输延迟,非常低的抖动200ps p-p,这里需要说明一下,传输延迟的影响因素与容耦隔离驱动芯片本身的副边供电电压VDDA/VDDB、负载电容、工作温度均有关





关键词: 车载OBC     动力电池化成分容充放电检测仪     双向DC    

助工
2022-03-21 09:05:43     打赏
2楼

高温、高频、大功率


助工
2022-03-23 17:38:03     打赏
3楼

SiC MOS  主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单


助工
2022-03-28 15:41:13     打赏
4楼

MOSFETTO-247-4)可以进一步降低器件损耗,提升系统 EMI 表现



助工
2022-03-29 09:31:15     打赏
5楼

MOSFET/TO-247-4封装可以进一步降低器件损耗,提升系统 EMI 表现



助工
2022-04-01 18:09:42     打赏
6楼

TO-247-4L封装可以进一步降低器件损耗,提升系统 EMI 表现



助工
2022-04-01 18:14:21     打赏
7楼

TO-247-4L封装可以进一步降低器件损耗,提升系统 EMI 表现



助工
2022-04-09 11:05:03     打赏
8楼

对SIC碳化硅MOS有兴趣的,可以联系有很多应用干货


助工
2022-04-13 15:24:43     打赏
9楼

宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点


助工
2022-04-14 15:36:41     打赏
10楼

SiC MOS能够在要求高功率密度的应用中优化性能。


共45条 1/5 1 2 3 4 5 ›| 跳转至

回复

匿名不能发帖!请先 [ 登陆 注册 ]