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SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于 SiC 功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统 (ESS)、不间断电源 (UPS) 和电动汽车）中优化性能。碳化硅MOS管-全碳SiC模块产品应用、驱动、系统方案详解2024.pdf

1、要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt耐受能力。

2、要求驱动器的传播延迟很低且抖动量很小，以便有效传递高开关频率下的非常短的脉冲。

3、要求驱动器具有双路输出端口。

4、支持高开关频率（开关频率至少支持400KHz）

5、支持高安全隔离电压

6、3-5V的负压关断，开启要18V-20V。

• 高达4A峰值驱动电流，-40~125度宽温度范围，通过AEC-Q100认证。

• 业界最高的抗扰性能（200kV/μs）和闩锁免疫能力（400kV/μs），支持超快速开关。

• 最大60ns传输延迟，非常低的抖动200ps p-p，这里需要说明一下，传输延迟的影响因素与容耦隔离驱动芯片本身的副边供电电压VDDA/VDDB、负载电容、工作温度均有关