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开关节点的振铃

专家
2026-03-17 22:21:52     打赏

在实际的印刷电路板中,会存在寄生电容和寄生电感。它们的影响之大往往出乎意料,如果电路正常但不能正常工作,很多情况下是由对布局中的寄生分量考虑不足造成的。

在设计实际的布线图形时,对寄生分量的处理无处不在。在这里,将以开关节点(可以说是最需要注意的部分)为例来验证产生振铃的原因。

图片4.png

图 4 中列出了同步整流降压型 DC/DC 转换器电路中的寄生电容和寄生电感,也就是蓝色所示的 C1~C2和 L1~L5。印刷电路板上的电路中存在寄生电容和寄生电感,在开关导通时和关断时会产生红框内的图所示的高频振铃。

印刷电路板布线的电感量每1mm约1nH左右。也就是说,如果布线过长,则布线电感量将会增高。此外,开关用MOSFET 的上升(tr)和下降(tf)时间一般为数 ns。因寄生分量而产生的电压和电流可通过以下公式计算。

基本计算公式

图片5.png

例:开关电压=5V、C=1000pF

图片6.png

上式中假设布线长度约为 10mm,因此代入 10nH。看似很短的距离,但可以看出电流越大产生的电压也越大。

此外,由公式可知,开关 MOSFET 的 tr和 tf越短,电流和电压都越大。tr和 tf越快,转换损耗越低,效率越高,但更

容易产生振铃。

振铃的频段可按 f=1/时间来计算。假设 tr和 tf为 5ns,则周期可认为是 10ns,频段为 100MHz,一般的开关频率多为 500kHz~1MHz,因此将产生其 100~200 倍的高频(参见图 5)。

图片7.png

下面来看图 4 所示的电路模型中的寄生分量会产生怎样的电流。图 6 是高边 MOSFET 导通时的示意图。寄生电容C2被充电,寄生电感 L1~L5积蓄能量,当开关节点的电压等于 VIN时,积蓄于 L1~L5中的能量与 C2产生谐振,从而产生较大的振铃。

图片8.png

高边 MOSFET 导通时的寄生电感 L 中积蓄的能量 PON和谐振频率 fON可通过以下公式进行计算。

图片9.png

图 7 是高边 MOSFET 关断时的示意图。

图片10.png

即使高边 MOSFET 关断,电感中也会持续流过电流,因此高边 MOSFET 的寄生电容 C1 被充电,低边 MOSFET的寄生电容 C2 放电,VOUT 继续降低。当 VOUT 低于低边MOSFET 的寄生二极管的 VF 时,虽然所有电感电流会流过该二极管,高边寄生电容 C1的充电变为零,但此前寄生电感中积蓄的能量会引起与 C1的谐振,并产生较大的振铃。关断时的寄生电感中的能量Poff和谐振频率foff可按以下公式进行计算。

图片11.png

电感 L4取决于 CBYPASS的特性。另外,L3和 L5受电路板布局的影响很大。本电路是开关晶体管外置型 IC 的电路示例,当使用开关晶体管内置型 IC 时,L1、L2、C2将取决于其IC,并且是固定值,与电路板的布局无关。

综上所述,实际的印刷电路板中存在电路图中没有的分量,因此,如果布局不当,会随着开关动作在开关节点产生较大振铃,可能导致无法正常工作或噪声增加等问题。

现在你应该明白电路板布局的大原则中提到的“布线要短”的原因了。

<小结>

‧ 实际的印刷电路板中,存在电路图中没有的寄生电容和寄生电感。

‧ 寄生分量可能引发振铃等问题。

‧ 在进行电路板设计时要牢记这些要点,以实现理想布局。



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