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【据《解放日报》（2003.02.12）报道】 　　本报讯(记者丁波)借着全球IT产业缓慢复苏之机，申城芯片加工业正酝酿更大突破。中芯国际日前先后与英飞凌、尔必达、东芝等世界巨头达成代工协议，三家企业分别将0.14微米的DRAM沟道技术、0.13微米的堆迭式DRAM技术、0.15微米低功率SRAM制程技术转移给中芯国际，标志着上海芯片企业已经在更多的芯片代工技术上迈向国际先进。 　　上海目前是国内最大的微电子加工基地，中芯国际和华虹NEC共有3条8英寸芯片生产线投产，占到全国的3/4。去年中芯国际已经开发出0.18微米逻辑制程工艺，开始在加工工艺上迈上国际水平。据了解，在最近这三笔代工签约中，东芝的0.15微米低功率SRAM制程技术，主要用于制造手机芯片，通过与东芝的合作，将使中芯国际的产品更多地进入手机领域，产量更加有保障；而世界第三大DRAM制造商德国英飞凌不仅将其0.14微米的DRAM沟道技术转移给中芯国际，并表示“在今后考虑转移0.11微米技术”。中芯国际还与全球知名半导体IP数据库的提供商Artisan公司合作，Artisan将提供针对中芯国际0.18微米CMOS工艺为基础的设计平台，这将拓展中芯国际潜在的客户群，从而推进公司的代工策略。 　　同时，申城另一芯片加工企业———华虹NEC副董事长邹世昌表示，华虹集团与日本NEC已初步决定对华虹NEC增资2亿多美元进行扩产，华虹NEC的产能将由目前的月产2万片，增加到月产3.2万片，并将代加工定单比例从目前的50%提高到90%，代工工艺水平和规模将有很大提高，今年，华虹NEC依然有14亿元左右的折旧费用支出，但预计能实现收支平衡。 　　业内专家预计，随着IT产业的缓慢复苏，预计今年下半年芯片需求会增大，给中芯国际等厂家带来利好，新一代芯片制造工艺的不断开发和引进，使上海的芯片产业开始向世界先进水平冲刺。