RAM调试正常,flash烧写后,不能正常运行!
请问什么地方设置不对?
用ADS编译。在RAM_ICE里能正确编译
flash项目里编译有一堆警告。
RO_BASE和RW_BASE各是什么含义(我理解的是FLASH的硬件地址和RAM的硬件口地址。)
是不是有什么错误?我的设置如下:
FLASH-2MB:OX1000000;
SRAM-256KB:0X2000000;
imagine ENTRY:0X1000000;