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日本日亚化学工业成功开发出光功率接近原产品 1.5倍的紫外光发光二极管（紫外光LED）。发光波长为365nm。在室温下给紫外光LED通上500mA电流时，脉冲振荡发光功率与外部量子效率分别为 240mW和14.1%，连续振荡时为210mW和12.4%。脉冲振荡时的电压为 +4.5V，连续振荡时为+4.3V。日亚化学工业于5月29日在“第五届氮化物半导体国际会议（5th International Conference on Nitride Semiconductors，于2003年5月25日～30日在日本奈良县召开）上，发表了该产品。 此次在紫外光LED表面通过图形转换(Patterning)技术提高了光功率。对表面进行加工后，提高了紫外光LED发光层产生的光放射到芯片外的比例。在此之前，为了提高光输出，日亚化学工业使用了将紫外光LED内发光层缺陷密度降低到4× 107/cm2的技术、和在紫外光LED中去除吸收紫外光的GaN层的技术。此次，又在这些技术上增加了图案转换技术。