我在做一个nand flash（K9F4G08U0A,512MB,4096block，64pages，每页2k+64B）的tffs文件系统的驱动，有若干问题请教：
1.tffs是否有针对nand flash的坏块处理机制，我在看windriver提供的关于tffs说明中提到“但在新数据第一次写入flash时，如果出错就会丢掉这些数据。”，所以不知道是不是自己该做一下坏块处理工作。同时，tffs能够认出flash厂商在冗余区做的坏块标记呢？
2.数据区和冗余区的地址是连续的，如何让文件系统知道冗余区不能进行文件的读写工作。比如，文件系统要将数据存到一个地址中去，而该地址恰好位于冗余区，该如何处理。
3.vol.map所指向的map函数具体有什么用呢？
谢谢指教
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1、nand的flash文件系统可以自己判断坏块并在冗余的64字节内做标记，不需要自己实现；
2、正是这个原因，需要自己写一个read函数，寻址的时候跳过64字节的冗余区，这也是nand不能直接使用memcpy的原因；
3、map函数是为了避免多次重复操作一个区域，提供给TFFS的映射函数，举个例子，重复读取一个文件的同一个地址，只有第一次调用了map函数，后面的识别到已经映射了flash地址就不再map了。nand类型的map函数不能像nor一样只做地址转换，需要调用你自己实现的read函数把映射的内容读到一个全局的buf中，然后把buf的指针返回。
4、需要特别说明的时候，vxWorks5.5以上版本都不支持nand类型flash的TFFS。必须从vxWorks5.4移植。
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